公开(公告)号：CN108346619B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201810067806.0

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  姜池远 ,  申忠桓 ,  李琎一 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。

公开(公告)号：CN109119406B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201810383864.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  J.S.金 ,  申忠桓

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。

公开(公告)号：CN109119406A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810383864.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  J.S.金 ,  申忠桓

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。

公开(公告)号：CN113113488A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202011186698.2

申请日：2020-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫昇 ,  金太烈 ,  白在职

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：栅电极，在衬底上并在第一方向上延伸；源极/漏极图案，在第二方向上彼此间隔开，其中栅电极介于源极/漏极图案之间；栅极接触部，电连接到栅电极；以及有源接触部，电连接到源极/漏极图案中的至少一个。该有源接触部包括：下接触图案，电连接到源极/漏极图案中的至少一个，下接触图案在第一方向上具有第一宽度；以及上接触图案，电连接到下接触图案的顶表面，上接触图案在第一方向上具有小于第一宽度的第二宽度。上接触图案和栅极接触部彼此水平重叠。

公开(公告)号：CN108346619A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067806.0

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  姜池远 ,  申忠桓 ,  李琎一 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。