公开(公告)号：CN108364937B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201810077733.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  金度亨 ,  李斗荣 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  李元赫

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。

公开(公告)号：CN108364937A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810077733.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  金度亨 ,  李斗荣 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  李元赫

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。

公开(公告)号：CN109119406B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201810383864.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  J.S.金 ,  申忠桓

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。

公开(公告)号：CN109119406A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810383864.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  J.S.金 ,  申忠桓

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。