公开(公告)号：CN108346619B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201810067806.0

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  姜池远 ,  申忠桓 ,  李琎一 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。

公开(公告)号：CN108346619A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067806.0

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  姜池远 ,  申忠桓 ,  李琎一 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。