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公开(公告)号:CN1749354B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200510106764.X
申请日:2005-08-25
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂,包括主氧化剂硫酸,诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂,含有铵-基材料的蚀刻抑制剂,及水,其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分,而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。
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公开(公告)号:CN1821872A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200610006210.7
申请日:2006-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76838 , C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L21/76841 , H01L23/53223 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供含有60至75重量%的磷酸(H3PO4)、0.5至15重量%的硝酸(HNO3)、2至15重量%的乙酸(CH3COOH)和0.1至15重量%的硝酸铝(Al(NO3)3)的抗蚀剂组合物。
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公开(公告)号:CN1749354A
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN200510106764.X
申请日:2005-08-25
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂,包括主氧化剂硫酸,诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂,含有铵-基材料的蚀刻抑制剂及水,其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分,而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。
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公开(公告)号:CN1821872B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200610006210.7
申请日:2006-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76838 , C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L21/76841 , H01L23/53223 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供含有60至75重量%的磷酸(H3PO4)、0.5至15重量%的硝酸(HNO3)、2至15重量%的乙酸(CH3COOH)和0.1至15重量%的硝酸铝(Al(NO3)3)的蚀刻剂组合物。
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