公开(公告)号：CN105278787B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201510422696.1

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  崔在荣 ,  金光熙 ,  卢钟旭 ,  朴贤哲 ,  辛源镐 ,  禹轮成 ,  李孝锡 ,  黄珍荣

IPC: G06F3/044

Abstract: 本公开提供了电极结构以及利用其的触摸检测传感器。该电极结构包括：第一非导电层；第一导电层，设置在第一非导电层上；第二非导电层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在第二非导电层上；以及第三非导电层，设置在第二导电层上，其中第一导电层和第二导电层中的至少一个包括二维导电材料。

公开(公告)号：CN107039098A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611010091.2

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美静 ,  郭灿 ,  金正华 ,  高东秀 ,  金光熙 ,  金地玴

IPC: H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。

公开(公告)号：CN107025953A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610991612.0

申请日：2016-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  孙熙尚 ,  辛源镐 ,  赵恩亨 ,  郭灿 ,  朴贤哲 ,  曹永真 ,  高东秀 ,  高雄 ,  金光熙

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。

公开(公告)号：CN108695073B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201810269346.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁度源 ,  卢钟旭 ,  梁大珍 ,  郭灿 ,  金亨俊 ,  李宇镇

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14

Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。

公开(公告)号：CN107039101B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201610851418.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿 ,  黄珍荣

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。

公开(公告)号：CN107025951A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610851003.5

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。

公开(公告)号：CN110246689B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201910170975.1

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤哲 ,  郭灿 ,  文庚奭 ,  梁大珍 ,  郑太远

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 公开了陶瓷电介质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备，所述陶瓷电介质包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的块状电介质、陶瓷纳米片、以及所述块状电介质和陶瓷纳米片的复合电介质，所述陶瓷电子组件包括所述陶瓷电介质。

公开(公告)号：CN107039098B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201611010091.2

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美静 ,  郭灿 ,  金正华 ,  高东秀 ,  金光熙 ,  金地玴

IPC: H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。

公开(公告)号：CN107025952B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201610911911.9

申请日：2016-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。

公开(公告)号：CN107039101A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610851418.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿 ,  黄珍荣

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。