公开(公告)号：CN107039098B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201611010091.2

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美静 ,  郭灿 ,  金正华 ,  高东秀 ,  金光熙 ,  金地玴

IPC: H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。

公开(公告)号：CN107039098A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611010091.2

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美静 ,  郭灿 ,  金正华 ,  高东秀 ,  金光熙 ,  金地玴

IPC: H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。