公开(公告)号：CN105278787B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201510422696.1

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  崔在荣 ,  金光熙 ,  卢钟旭 ,  朴贤哲 ,  辛源镐 ,  禹轮成 ,  李孝锡 ,  黄珍荣

IPC: G06F3/044

Abstract: 本公开提供了电极结构以及利用其的触摸检测传感器。该电极结构包括：第一非导电层；第一导电层，设置在第一非导电层上；第二非导电层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在第二非导电层上；以及第三非导电层，设置在第二导电层上，其中第一导电层和第二导电层中的至少一个包括二维导电材料。

公开(公告)号：CN108335908B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810052471.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  金玄植 ,  卢钟旭 ,  文庚奭 ,  朴贤哲 ,  孙仑喆 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  曹永真

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/105 ,  H01C7/108

Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。

公开(公告)号：CN108335908A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810052471.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  金玄植 ,  卢钟旭 ,  文庚奭 ,  朴贤哲 ,  孙仑喆 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  曹永真

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/105 ,  H01C7/108

Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。

公开(公告)号：CN108695073B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201810269346.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁度源 ,  卢钟旭 ,  梁大珍 ,  郭灿 ,  金亨俊 ,  李宇镇

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14

Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。

公开(公告)号：CN107039101B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201610851418.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿 ,  黄珍荣

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。

公开(公告)号：CN107025951A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610851003.5

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。

公开(公告)号：CN107025952B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201610911911.9

申请日：2016-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。

公开(公告)号：CN107039101A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610851418.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿 ,  黄珍荣

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。

公开(公告)号：CN107025952A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610911911.9

申请日：2016-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。

公开(公告)号：CN107025951B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201610851003.5

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。