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公开(公告)号：CN114388693A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110709375.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及电介质材料以及包括其的器件和存储设备。根据一个方面，提供电介质材料，其具有由式1表示的组成： (100‑x‑y)BaTiO3·xBiREO3·yABO3。其中，在式1中，RE为稀土金属，A为碱金属，B为五价过渡金属，并且满足0
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公开(公告)号：CN101067911A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200610171138.3
申请日：2006-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/2014 , G09G2310/0256 , G09G2310/066 , G09G2320/043
Abstract: 本发明涉及一种驱动场发射器件(FED)的方法。该方法包括在场发射器件中使用交流(AC)电压作为驱动电压以发射电子，场发射器件包括具有发射体的阴极电极和面对该阴极电极的阳极电极。AC电压用于防止电弧且还激活电子发射源。一种熟化FED的方法，当FED被熟化时，使用恒定电压使得电子不能从电子发射源发射，且使用AC电压使得电子可以从发射体周期性地发射。
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公开(公告)号：CN108227297B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201711394212.2
申请日：2017-12-21
IPC: G02F1/13357 , C09K11/70 , C09K11/02
Abstract: 公开层状结构体、其制造方法、和包括其的液晶显示器，所述层状结构体包括：包括量子点‑聚合物复合物的图案的光致发光层；和设置在所述光致发光层上并且包含无机材料的封盖层。所述量子点‑聚合物复合物包括聚合物基体、和在所述聚合物基体中的多个量子点，所述量子点‑聚合物复合物的图案包括至少一种重复段且所述重复段包括配置成发射第一峰值波长的光的第一段，所述无机材料设置在所述重复段的表面的至少一部分上，且所述无机材料包括金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物、金属硫化物、或其组合。
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公开(公告)号：CN104007129A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310587432.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J35/065 , H01J19/42 , H01J35/045 , H01J35/06 , H01J35/14 , H01J35/24 , H01J2235/068 , H05G1/00 , H05G1/02
Abstract: 本公开提供一种包括平板型X射线发生器的X射线成像系统、X射线发生器以及电子发射装置。该X射线成像系统包括：X射线发生器，包括二维布置并被独立地驱动的多个X射线发生单元；以及X射线检测器，提供为与X射线发生器间隔开使物体位于两者之间，并包括对应于多个X射线发生单元的多个X射线检测单元。
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公开(公告)号：CN108227297A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711394212.2
申请日：2017-12-21
IPC: G02F1/13357 , C09K11/70 , C09K11/02
Abstract: 公开层状结构体、其制造方法、和包括其的液晶显示器，所述层状结构体包括：包括量子点‑聚合物复合物的图案的光致发光层；和设置在所述光致发光层上并且包含无机材料的封盖层。所述量子点‑聚合物复合物包括聚合物基体、和在所述聚合物基体中的多个量子点，所述量子点‑聚合物复合物的图案包括至少一种重复段且所述重复段包括配置成发射第一峰值波长的光的第一段，所述无机材料设置在所述重复段的表面的至少一部分上，且所述无机材料包括金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物、金属硫化物、或其组合。
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公开(公告)号：CN103531422B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310187294.9
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J19/24 , B82Y99/00 , H01J1/02 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J31/127 , H01J35/06 , H01J35/065 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2203/0208 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2329/4608 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括：基板，具有至少一个开口；粘附层，设置在基板上；以及网状电极，设置在基板上，粘附层在网状电极和基板之间，其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域，粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。
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公开(公告)号：CN103531422A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310187294.9
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J19/24 , B82Y99/00 , H01J1/02 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J31/127 , H01J35/06 , H01J35/065 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2203/0208 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2329/4608 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括：基板，具有至少一个开口；粘附层，设置在基板上；以及网状电极，设置在基板上，粘附层在网状电极和基板之间，其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域，粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。
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