公开(公告)号：CN114388693A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110709375.5

申请日：2021-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵奇迎 ,  朴贤哲 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  郑太远

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及电介质材料以及包括其的器件和存储设备。根据一个方面，提供电介质材料，其具有由式1表示的组成： (100‑x‑y)BaTiO3·xBiREO3·yABO3。其中，在式1中，RE为稀土金属，A为碱金属，B为五价过渡金属，并且满足0

公开(公告)号：CN119725313A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411349803.8

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵奇迎 ,  金尚元 ,  金载洹 ,  申铉振 ,  V·L·阮 ,  李昌锡

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及互连结构体、其制造方法、以及包括其的电子设备。公开了互连结构体，所述互连结构体包括基底、在所述基底上的导电层、以及与所述导电层接触的钝化层，其中所述钝化层包括：包括具有六方晶体结构的氮化硼(h‑BN)的第一层和包括非晶氮化硼(a‑BN)的第二层，并且所述第一层与所述导电层接触。

公开(公告)号：CN113963951A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110155931.9

申请日：2021-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑太远 ,  朴贤哲 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  赵奇迎

IPC: H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01L27/11507

Abstract: 提供介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元，所述介电材料包括由式1表示的化合物，其中，在式1中，M为第2族元素，A为三价元素，以及0