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公开(公告)号：CN108227297A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711394212.2
申请日：2017-12-21
IPC: G02F1/13357 , C09K11/70 , C09K11/02
Abstract: 公开层状结构体、其制造方法、和包括其的液晶显示器，所述层状结构体包括：包括量子点‑聚合物复合物的图案的光致发光层；和设置在所述光致发光层上并且包含无机材料的封盖层。所述量子点‑聚合物复合物包括聚合物基体、和在所述聚合物基体中的多个量子点，所述量子点‑聚合物复合物的图案包括至少一种重复段且所述重复段包括配置成发射第一峰值波长的光的第一段，所述无机材料设置在所述重复段的表面的至少一部分上，且所述无机材料包括金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物、金属硫化物、或其组合。
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公开(公告)号：CN108227297B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201711394212.2
申请日：2017-12-21
IPC: G02F1/13357 , C09K11/70 , C09K11/02
Abstract: 公开层状结构体、其制造方法、和包括其的液晶显示器，所述层状结构体包括：包括量子点‑聚合物复合物的图案的光致发光层；和设置在所述光致发光层上并且包含无机材料的封盖层。所述量子点‑聚合物复合物包括聚合物基体、和在所述聚合物基体中的多个量子点，所述量子点‑聚合物复合物的图案包括至少一种重复段且所述重复段包括配置成发射第一峰值波长的光的第一段，所述无机材料设置在所述重复段的表面的至少一部分上，且所述无机材料包括金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物、金属硫化物、或其组合。
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公开(公告)号：CN106468858B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201610701845.2
申请日：2016-08-22
IPC: G03F7/033 , G02B5/20 , G02F1/1335 , C09K11/02 , C09K11/70
Abstract: 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有碳‑碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含酸基团的聚合物和分散在所述包含酸基团的聚合物中的多个量子点，和其中所述包含酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团或膦酸基团和碳‑碳双键的第一单体以及具有碳‑碳双键和疏水性基团并且不具有羧酸基团和膦酸基团的第二单体。
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公开(公告)号：CN118360059A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410078140.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体纳米颗粒、其制造方法、电致发光器件和电子设备，其中所述半导体纳米颗粒包括：包括锌、硒、和硫的锌硫属化物，所述半导体纳米颗粒不包括镉，所述半导体纳米颗粒呈现出在大于或等于约455纳米(nm)且小于或等于约480nm的范围内的峰值发射波长，在光致发光光谱法分析中，所述半导体纳米颗粒呈现出大于或等于约80％的绝对量子产率和小于或等于约50nm的半宽度，并且所述半导体纳米颗粒的平均颗粒尺寸大于或等于约12nm且小于或等于约50nm。
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公开(公告)号：CN119370883A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411004299.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体纳米颗粒、制备半导体纳米颗粒的方法、和包括半导体纳米颗粒的电致发光器件和显示设备。制备半导体纳米颗粒的方法包括使锌前体和硫前体在第一颗粒的存在下以在预定的温度下接触在所述第一颗粒上形成含有硫化锌的半导体纳米晶体层，其中所述第一颗粒包括包含锌、硒、和任选地碲的II‑VI族化合物，或者所述第一颗粒包括包含铟和磷的III‑V族化合物。所述预定的温度包括(例如，为)大于300℃且小于或等于约380℃的温度(例如，反应温度)，并且所述硫前体包括C3(例如C9)至C50的硫醇化合物或其组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114686211A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111624492.8
申请日：2021-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法。发光器件包括第一导电层、第二导电层、以及设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的发光层，所述发光层包括发光纳米结构体，其中所述发光层配置成发射绿色光，所述发光层不包括镉、铅、或其组合，所述发光纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌硫属化物，III‑V族化合物包括铟、磷、和任选地锌，锌硫属化物包括锌、硒和硫，所述发光纳米结构体呈现出闪锌矿结构，并且在通过电子显微镜法分析获得的发光纳米结构体的二维图像中，所述发光纳米结构体的正方度的平均值大于或等于约0.8。
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公开(公告)号：CN112442371A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN106468858A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610701845.2
申请日：2016-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/033 , G02B5/20 , G02F1/1335 , C09K11/02 , C09K11/70
CPC classification number: G03F7/033 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G03F7/0007 , G03F7/0047 , G03F7/027
Abstract: 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有碳-碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含酸基团的聚合物和分散在所述包含酸基团的聚合物中的多个量子点，和其中所述包含酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团或膦酸基团和碳-碳双键的第一单体以及具有碳-碳双键和疏水性基团并且不具有羧酸基团和膦酸基团的第二单体。
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公开(公告)号：CN112442371B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN116507145A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310042386.1
申请日：2023-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体纳米颗粒、其制造方法、以及包括其的电致发光器件和显示设备。电致发光器件包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，所述发光层包括多个半导体纳米颗粒，其中所述发光层配置成发射绿色光，其中所述多个半导体纳米颗粒包括：包括铟、磷、和任选地锌的第一半导体纳米晶体，和包括锌硫属化物的第二半导体纳米晶体，其中所述锌硫属化物包括锌、硒和硫，其中在所述多个半导体纳米颗粒中，锌对铟的摩尔比大于或等于约60:1，和其中所述电致发光器件配置成呈现出如以约2700尼特的初始驱动亮度测量的大于或等于约120小时的T90。
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