公开(公告)号：CN105319866B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201510455614.3

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志明 ,  郑圭珉 ,  郑泰和 ,  尹广燮

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本公开提供了目标基板、光刻测量方法和基板。一种基板可以包括：在基板上的包括在集成电路中的特征图案；和在基板上的与特征图案间隔开的原位测量图案，该原位测量图案和特征图案两者被配置为相对于基板的表面具有相同的高度。

公开(公告)号：CN105319866A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510455614.3

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志明 ,  郑圭珉 ,  郑泰和 ,  尹广燮

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70683 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/93 ,  G01N21/956 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了目标基板、光刻测量方法和基板。一种基板可以包括：在基板上的包括在集成电路中的特征图案；和在基板上的与特征图案间隔开的原位测量图案，该原位测量图案和特征图案两者被配置为相对于基板的表面具有相同的高度。

公开(公告)号：CN113937102A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110766070.8

申请日：2021-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晟植 ,  金相辰 ,  吴泰焕 ,  李炫姃 ,  张成珍 ,  郑圭珉

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：第一和第二有源图案，在第一方向上延伸；第一外延图案，在第一有源图案上并邻近第二有源图案；第二外延图案，在第二有源图案上并邻近第一有源图案；元件分隔结构，在第一和第二外延图案之间分隔第一和第二有源图案，并包括芯分隔图案和在芯分隔图案的侧壁上的分隔侧壁图案；以及栅极结构，在第一有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构的上表面在与芯分隔图案的上表面相同的平面上。分隔侧壁图案包括高介电常数衬垫，该高介电常数衬垫包括包含金属的高介电常数电介质膜。