公开(公告)号：CN106796404B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201580054446.5

申请日：2015-09-22

Applicant: 卡尔蔡司股份公司

Inventor： P.许布纳 ,  G.克拉姆珀特 ,  S.里克特 ,  T.梅普斯

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70383 ,  G03F7/70683 ,  G03F9/7007 ,  G03F9/7011

Abstract: 一种用于制造光刻结构的光学系统(1)具有投射镜头系统(8)，其用于将制造结构的写入光束引导到基板平面(12)中的基板表面(10)的区域中的写入焦点(9)中。偏转装置(5)用于在基板表面(10)的区域中的写入场(13)内偏转写入光束的写入焦点(9)。预览镜头系统(14)，用于在基板表面(10)的区域中成像预览场(15)。预览场(15)的面积是写入场(13)的面积的至少10倍。投射镜头系统(8)和预览镜头系统(14)由共同框架(16)支撑。基板固定器(18)在平行于基板表面(10)的平面(x，y)中以两个平移自由度(x，y)可位移。此外，系统(1)具有控制单元(27)，控制单元包括存储器(28)，存储器中存储写入场(13)的位置相对于预览场(15)的位置的相对坐标。呈现出一种光学系统，其中以良好目标精度实现了在制造光刻结构时被处理的基板的定位。

公开(公告)号：CN105814491B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201480067198.3

申请日：2014-10-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·G·J·玛斯吉森 ,  斯蒂芬·亨斯克 ,  M·G·M·M·范卡拉埃吉

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70683 ,  G03F7/213 ,  G03F7/22 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70633

Abstract: 一种用于光刻中的检查设备被披露。其包括用于衬底的支撑件，所述支撑件承载多个量测目标；光学系统，用于在预定照射条件下照射目标并且用于检测在所述照射条件下由目标衍射的辐射的预定部分；处理器，所述处理器布置成用来从衍射辐射的所述检测部分计算出对于特定目标的不对称度的测量；以及控制器，用于使所述光学系统和处理器测量出所述目标中至少两个目标的不对称度，所述至少两个目标具有在衬底上的一层内的结构与更小子结构之间的位置偏置的不同的已知分量；并且使所述光学系统和处理器从所述不对称度测量的结果计算出对于所述更小尺寸的结构的光刻过程的性能参数的测量。还披露了具备由光刻过程所形成的多个新型量测目标的衬底。

公开(公告)号：CN103681622B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210511012.1

申请日：2012-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢启文 ,  张岐康 ,  刘家助 ,  陈孟伟 ,  陈桂顺

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/0886 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种适用于制造非平面电路器件的覆盖标记以及形成该覆盖标记的方法。示例性实施例包括接收具有有源器件区域和覆盖区域的衬底。在衬底上形成一个或多个介电层和硬掩模。图案化硬掩模以形成被配置成限定覆盖标记鳍的硬掩模层部件。在图案化硬掩模层上形成间隔件。该间隔件进一步限定覆盖标记鳍和有源器件鳍。切割该覆盖标记鳍以形成用于限定覆盖计量的参考位置的鳍线端部。蚀刻介电层和衬底以进一步限定覆盖标记鳍。本发明还提供了增强的FINFET工艺覆盖标记。

公开(公告)号：CN103681624B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310159625.8

申请日：2013-05-03

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 邱垂福

IPC: H01L23/544 ,  G03F7/00 ,  G03F1/56

CPC classification number: G03F1/56 ,  G03F7/00 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  G03F9/7073 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供一种叠对标记及其形成方法，该方法包括：在基底上形成多条光致抗蚀剂图案。每一光致抗蚀剂图案包括第一条状物以及并排的多个第二条状物。所述第一条状物与所述第二条状物交错而呈栅状，并且相邻的两个光致抗蚀剂图案之间有空隙，且所述空隙呈栅状。接着，在每一空隙中形成多个岛状物，以形成网点带状图案。之后，移除所述光致抗蚀剂图案，留下所述的网点带状图案做为所述叠对标记。

公开(公告)号：CN105874387A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071608.1

申请日：2014-12-04

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 陈光青 ,  刘伟 ,  毛瑞特斯·范德查尔

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70633 ,  G01B11/00 ,  G01B11/303 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70683

Abstract: 描述了一种量测目标设计的方法。所述方法包括确定量测目标设计的参数对过程参数的扰动的灵敏度，所述过程参数用于形成所述量测目标、或测量所述量测目标的构成；并且基于灵敏度与至少一个过程参数的扰动的乘积之和来确定所述量测目标设计的鲁棒性。

公开(公告)号：CN103515357B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210350981.3

申请日：2012-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈贞妤 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/302 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有位于衬底上方的重合标记的器件，以及使用重合标记调节多层重合对准的方法。重合标记包括位于第一层中的第一部件，该第一部件具有仅沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第一对准部分；在位于第一层上方的第二层中的第二部件，该第二部件具有沿与X方向不同的Y方向延伸的基本上相互平行的多个第二对准部分；在位于第二层上方的第三层中的第三部件，第三部件包括沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第三对准部分，以及沿Y方向延伸的基本上相互平行的多个第四对准部分。本发明还提供了重合标记的测量方法。

公开(公告)号：CN103038861B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180037316.2

申请日：2011-07-28

Applicant: 克拉-坦科股份有限公司

Inventor： D·坎戴尔 ,  V·列文斯基 ,  G·科恩

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70633 ,  G03F7/70683

Abstract: 公开了一种用于基于成像的计量的多层重叠标靶。该重叠标靶包含多个标靶结构，该多个标靶结构包括三个或更多个标靶结构，各标靶结构包括一组两个或更多个图案元素，其中所述标靶结构被配置为，一旦所述标靶结构对齐时共享公共对称中心，各标靶结构围绕该公共对称中心对于N度旋转不变，其中N等于或大于180度，其中该两个或更多个图案元素中的每一个具有单独的对称中心，其中各标靶结构的两个或更多个图案元素的每一个围绕该单独对称中心对于M度旋转不变，其中M等于或大于180度。

公开(公告)号：CN104950590A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510141230.4

申请日：2015-03-30

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： G·宁 ,  G·于贝尔赖特 ,  L·C·里特 ,  P·阿克曼

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70683 ,  G06F17/5072

Abstract: 本发明涉及计量图案布局及其使用方法。该计量图案布局包括多个象限，在这些象限中可布置第一晶圆测量图案、第二晶圆测量图案、光罩对位图案以及光罩测量图案，从而有利于将光罩计量数据与晶圆计量数据关联。该光罩对位图案还可包括一个或多个最外结构元件，其经设计以在光学邻近校正过程中保护该光罩测量图案内的其它结构元件免受修改。本发明提供一种光学邻近校正过程的方法，其中，可获得光罩测量图案并对其分类，以添加或修改该光学邻近校正过程的规则组。

公开(公告)号：CN104425613A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410339031.X

申请日：2014-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宗育 ,  陈光鑫 ,  田博仁 ,  张宗生

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了多高度半导体结构。一种或多种半导体布置以及用于形成这种半导体布置的技术。在衬底上方形成诸如多晶硅层或层间介电(ILD)层的层。在该层上方形成光刻胶掩模。光刻胶掩模包括层的目标区上方的开口区，而且包括层的第二区上方的保护区。通过开口区实施蚀刻工艺，由于保护区防止蚀刻工艺影响第二区中的层，所以相对于第二区中的层的高度，降低了目标区中的层的高度。在目标区中形成具有第一高度的第一结构。在第二区中形成具有第二高度的第二结构，第二高度大于第一高度。

公开(公告)号：CN103814429A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201380003145.0

申请日：2013-05-21

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 努里尔·阿米尔 ,  盖伊·科恩 ,  弗拉基米尔·莱温斯基 ,  迈克尔·阿德尔

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/42

CPC classification number: G03F7/70633 ,  G03F1/42 ,  G03F7/70683

Abstract: 本发明针对于设计及使用具有正交底层虚拟填充的叠盖目标。根据各种实施例，叠盖目标可包含形成至少一个叠盖目标结构的一个或一个以上经分段叠盖图案元素。所述叠盖目标可进一步包含形成至少一个虚拟填充目标结构的一个或一个以上非作用图案元素。所述一个或一个以上非作用图案元素中的每一者可包含沿正交于至少一个接近安置的叠盖图案元素的分段轴的轴而分段的虚拟填充。在一些实施例中，所述目标结构或层中的每一者可由连续安置于例如硅晶片的衬底上的单独工艺层形成。在一些实施例中，所述叠盖及虚拟填充目标结构可为两重或四重旋转对称的以允许特定制造或计量优点。