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公开(公告)号：CN113937102A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110766070.8
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：第一和第二有源图案，在第一方向上延伸；第一外延图案，在第一有源图案上并邻近第二有源图案；第二外延图案，在第二有源图案上并邻近第一有源图案；元件分隔结构，在第一和第二外延图案之间分隔第一和第二有源图案，并包括芯分隔图案和在芯分隔图案的侧壁上的分隔侧壁图案；以及栅极结构，在第一有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构的上表面在与芯分隔图案的上表面相同的平面上。分隔侧壁图案包括高介电常数衬垫，该高介电常数衬垫包括包含金属的高介电常数电介质膜。
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