公开(公告)号：CN114141764A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111035458.7

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑命杞 ,  郑显秀 ,  俞泰元

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片、设置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片和设置在第二半导体芯片上的第三半导体芯片。第一焊盘设置在第二半导体芯片的顶表面上，并且包括第一部分和从第一部分在竖直方向上突出的第二部分。第一部分在第一水平方向上的宽度大于第二部分在第一水平方向上的宽度。第二焊盘设置在第三半导体芯片的面对第二半导体芯片的顶表面的底表面上，焊球被设置为围绕位于第一焊盘与第二焊盘之间的第一焊盘的第二部分的侧壁。

公开(公告)号：CN114725046A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111134880.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  浏太元 ,  郑命杞 ,  安镇灿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括半导体芯片和再分布层。半导体芯片包括半导体衬底、钝化层、以及从钝化层暴露出的第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。再分布层包括光敏介电层以及光敏介电层中的第一再分布图案至第三再分布图案和高k介电图案。第一再分布图案、第二再分布图案和第三再分布图案分别连接到第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。高k介电图案在第一再分布图案和第二再分布图案之间。光敏介电层包括第一介电材料。高k介电图案包括介电常数大于第一介电材料的介电常数的第二介电材料。高k介电图案与钝化层接触。钝化层包括与第一介电材料和第二介电材料不同的介电材料。

公开(公告)号：CN109786308A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811306198.0

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张根豪 ,  郑命杞

IPC: H01L21/683

Abstract: 本公开提供了一种从器件基板剥离载体基板的方法和设备。在从器件基板剥离载体基板的方法中，可以将紫外光穿过所述载体基板照射到所述粘合带，以减弱所述粘合带的粘附力，其中所述载体基板可以利用粘合带与具有连接柱的所述器件基板的第一表面附接。可以遮蔽所述载体基板的外围部分，以将所述紫外光集中在所述粘合带上。

公开(公告)号：CN102163579B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110038739.8

申请日：2011-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李喜哲 ,  郑命杞 ,  廉根大

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/09517 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  Y10S438/948 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了能够减小焊盘与阻焊剂之间高度差的焊盘栅格阵列封装。该焊盘栅格阵列(LGA)封装包括：基板，包括形成在基板的第一表面上的多个焊盘；半导体芯片，安装在基板的第二表面上；连接部分，连接半导体芯片和基板；以及支撑层，形成在第一焊盘的部分表面上。

公开(公告)号：CN102163579A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110038739.8

申请日：2011-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李喜哲 ,  郑命杞 ,  廉根大

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/09517 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  Y10S438/948 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了能够减小焊盘与阻焊剂之间高度差的焊盘栅格阵列封装。该焊盘栅格阵列(LGA)封装包括：基板，包括形成在基板的第一表面上的多个焊盘；半导体芯片，安装在基板的第二表面上；连接部分，连接半导体芯片和基板；以及支撑层，形成在第一焊盘的部分表面上。

公开(公告)号：CN109786308B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201811306198.0

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张根豪 ,  郑命杞

IPC: H01L21/683

Abstract: 本公开提供了一种从器件基板剥离载体基板的方法和设备。在从器件基板剥离载体基板的方法中，可以将紫外光穿过所述载体基板照射到所述粘合带，以减弱所述粘合带的粘附力，其中所述载体基板可以利用粘合带与具有连接柱的所述器件基板的第一表面附接。可以遮蔽所述载体基板的外围部分，以将所述紫外光集中在所述粘合带上。

公开(公告)号：CN114203680A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110824114.8

申请日：2021-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  郑命杞 ,  金泳龙

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装包括：封装基板；封装基板上的下封装结构，下封装结构包括模制基板、模制基板中的具有通过模制基板而暴露的芯片焊盘的半导体芯片、模制基板中的与半导体芯片隔开的间隔物芯片、以及模制基板上的重分布布线层，重分布布线层具有电连接到芯片焊盘的重分布布线；下封装结构上彼此隔开的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每一个包括堆叠的存储器芯片；以及模制构件，模制构件覆盖下封装结构以及第一堆叠结构和第二堆叠结构，其中模制基板包括覆盖半导体芯片和间隔物芯片的侧表面的第一覆盖部分、以及覆盖半导体芯片的下表面的第二覆盖部分。

公开(公告)号：CN112054018A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010158008.6

申请日：2020-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳龙 ,  郑命杞 ,  张艾妮

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明可提供一种半导体封装件，其包括：半导体芯片；中介层，在所述半导体芯片上；以及模塑层，覆盖所述半导体芯片的至少一部分及所述中介层的至少一部分。所述中介层包括中介层衬底及穿透所述中介层衬底并与所述半导体芯片电绝缘的热耗散图案。所述热耗散图案包括设置在所述中介层衬底中的贯穿电极以及设置在所述中介层衬底的上表面上并连接到所述贯穿电极的上接垫。所述模塑层覆盖所述中介层衬底的上表面及所述上接垫的侧壁的至少一部分。所述上接垫的上表面的至少一部分不由所述模塑层覆盖。