公开(公告)号：CN109686679A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811080326.4

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安镇灿 ,  金原永 ,  黄敬善

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50

Abstract: 一种制造半导体封装的方法包括：作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片，管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性；在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片，并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装，单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息；基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类；以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。

公开(公告)号：CN109686679B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811080326.4

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安镇灿 ,  金原永 ,  黄敬善

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50

Abstract: 一种制造半导体封装的方法包括：作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片，管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性；在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片，并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装，单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息；基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类；以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。

公开(公告)号：CN114725046A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111134880.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  浏太元 ,  郑命杞 ,  安镇灿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括半导体芯片和再分布层。半导体芯片包括半导体衬底、钝化层、以及从钝化层暴露出的第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。再分布层包括光敏介电层以及光敏介电层中的第一再分布图案至第三再分布图案和高k介电图案。第一再分布图案、第二再分布图案和第三再分布图案分别连接到第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。高k介电图案在第一再分布图案和第二再分布图案之间。光敏介电层包括第一介电材料。高k介电图案包括介电常数大于第一介电材料的介电常数的第二介电材料。高k介电图案与钝化层接触。钝化层包括与第一介电材料和第二介电材料不同的介电材料。