公开(公告)号：CN114725046A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111134880.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  浏太元 ,  郑命杞 ,  安镇灿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括半导体芯片和再分布层。半导体芯片包括半导体衬底、钝化层、以及从钝化层暴露出的第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。再分布层包括光敏介电层以及光敏介电层中的第一再分布图案至第三再分布图案和高k介电图案。第一再分布图案、第二再分布图案和第三再分布图案分别连接到第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。高k介电图案在第一再分布图案和第二再分布图案之间。光敏介电层包括第一介电材料。高k介电图案包括介电常数大于第一介电材料的介电常数的第二介电材料。高k介电图案与钝化层接触。钝化层包括与第一介电材料和第二介电材料不同的介电材料。

公开(公告)号：CN115692364A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210368101.9

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  浏太元 ,  李锡贤

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：第一基板，包括第一凸块下图案、第二凸块下图案和第三凸块下图案；半导体芯片，设置在第一基板上；导电结构，设置在第一基板上；以及第二基板，设置在半导体芯片和导电结构上。第三凸块下图案与第一凸块下图案和第二凸块下图案电隔离。导电结构包括：第一导电结构，耦接到第一凸块下图案；第二导电结构，耦接到第二凸块下图案；以及第三导电结构，耦接到第三凸块下图案并且被设置为与第一导电结构和第二导电结构相邻。第三导电结构设置在第一导电结构与第二导电结构之间，第一凸块下图案比第三凸块下图案宽，并且第二凸块下图案比第三凸块下图案宽。