公开(公告)号：CN111142327A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911074748.5

申请日：2019-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  姜奉秀 ,  具教一 ,  金相兑 ,  郑刚珉

IPC: G03F1/72

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：设计布局；基于所述布局形成光掩模；校正所述光掩模的透光率；以及使用具有校正后的透光率的光掩模来执行光刻工艺以在衬底上形成图案。校正所述光掩模的透光率包括：通过捕获穿过所述光掩模的光来创建强度图；对所述布局进行仿真以创建虚拟强度图；以及基于所述强度图和所述虚拟强度图来校正所述光掩模的掩模衬底的透光率。

公开(公告)号：CN113534599A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110423235.1

申请日：2021-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  文瑞琳 ,  朴庆宰 ,  李受龙 ,  郑刚珉

IPC: G03F1/36

Abstract: 本公开提供了光学邻近校正方法和制造掩模的方法。该光学邻近校正方法包括：从图案掩模提取第一图案；对第一图案的至少一部分执行光刻，以形成第一第一图案；在形成第一图案的位置处形成第一第一图案；以及在其上形成有第一第一图案的图案掩模上执行校正。

公开(公告)号：CN119997576A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411555604.2

申请日：2024-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑刚珉 ,  徐康一

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/17 ,  H10D64/27 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括第一有源区和栅极结构，第一有源区在第一方向上延伸并包括：第一外角边缘，在该第一外角边缘处，第一有源区在第二方向上的宽度沿第一方向平缓变化；以及第一内角边缘，第一有源区的宽度在第一内角边缘处比在第一外角边缘处沿第一方向较不平缓地变化，栅极结构在第二方向上延伸且在第三方向上与第一外角边缘重叠，其中第一方向与第二方向水平相交，第三方向与第一方向和第二方向垂直相交。

公开(公告)号：CN111142327B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201911074748.5

申请日：2019-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  姜奉秀 ,  具教一 ,  金相兑 ,  郑刚珉

IPC: G03F1/72

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：设计布局；基于所述布局形成光掩模；校正所述光掩模的透光率；以及使用具有校正后的透光率的光掩模来执行光刻工艺以在衬底上形成图案。校正所述光掩模的透光率包括：通过捕获穿过所述光掩模的光来创建强度图；对所述布局进行仿真以创建虚拟强度图；以及基于所述强度图和所述虚拟强度图来校正所述光掩模的掩模衬底的透光率。