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公开(公告)号：CN113223977A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110022696.8
申请日：2021-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成下模制件，下模制件具有堆叠在基底上的下层和穿过下层的下沟道结构；形成上模制件，上模制件包括堆叠在下模制件上的上层和穿过上层的上沟道结构；去除上模制件以使下模制件的上表面暴露；从捕获下模制件的上表面的原始图像分离其中显示上沟道结构的迹线的上原始图像与其中显示下沟道结构的下原始图像；将上原始图像输入到学习神经网络中以获取其中显示上沟道结构的剖面的上恢复图像；以及将上恢复图像与下原始图像进行比较以验证上模制件和下模制件的对准状态。
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公开(公告)号：CN113838861A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110690187.2
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路区域，包括第一基板和在第一基板上的电路器件；存储单元区域，包括在第一基板上的第二基板、在第二基板上的水平导电层、在垂直于第二基板的上表面的第一方向上堆叠在水平导电层上并彼此间隔开的栅电极、以及在第一方向上在栅电极中延伸的沟道结构，每个沟道结构包括与水平导电层物理接触的沟道层；以及贯通布线区域，包括在第一方向上延伸并将存储单元区域电连接到外围电路区域的贯通接触插塞、邻接贯通接触插塞的绝缘区域、以及在第一方向上部分地延伸到绝缘区域中的虚设沟道结构。
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公开(公告)号：CN108352600B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680066129.X
申请日：2016-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明各种实施例的一种电子装置，包括：导电内部模块，多个层堆叠在其中；电开口部分，当堆叠所述导电内部模块时，所述电开口部分形成在所述导电内模块的边缘的至少一部分中；以及天线模块，其设置在所述电开口的周边，其中，所述天线模块可以包括形成在形成所述导电内部模块的多个层中的至少一个上的馈电部分和连接到所述馈电部分并设置在至少一个电开口周围的导体图案。电子装置可以根据实施例不同地实现。
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公开(公告)号：CN108352600A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066129.X
申请日：2016-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明各种实施例的一种电子装置，包括：导电内部模块，多个层堆叠在其中；电开口部分，当堆叠所述导电内部模块时，所述电开口部分形成在所述导电内模块的边缘的至少一部分中；以及天线模块，其设置在所述电开口的周边，其中，所述天线模块可以包括形成在形成所述导电内部模块的多个层中的至少一个上的馈电部分和连接到所述馈电部分并设置在至少一个电开口周围的导体图案。电子装置可以根据实施例不同地实现。
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