公开(公告)号：CN107039301B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201611140361.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边永镛 ,  宋浩圣 ,  金致旭

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了测试架构、测试系统及在晶圆级测试半导体装置的方法。从具有测试架构的晶圆制造半导体芯片的方法包括：在晶圆上形成多个裸片，多个裸片中每一个都包括半导体装置，形成通常耦合至裸片的至少两个共用焊盘，这至少两个共用焊盘在划片通道中形成，划片通道将裸片彼此划分，以及使用至少两个共用焊盘同时在晶圆级测试半导体装置。

公开(公告)号：CN113451265A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110325155.2

申请日：2021-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔慜贞 ,  韩正勳 ,  金知浩 ,  边永镛 ,  李瑌真 ,  张志熏

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括芯片区域和边缘区域；集成电路元件，位于芯片区域上；层间绝缘层，覆盖集成电路元件；互连结构，位于层间绝缘层上并且具有位于边缘区域上的侧表面；第一导电图案和第二导电图案，位于互连结构上，第一导电图案和第二导电图案电连接到互连结构；第一钝化层，覆盖第一导电图案和第二导电图案以及互连结构的侧表面；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，第二钝化层包括不同于第一钝化层的绝缘材料，并且在第一导电图案与第二导电图案之间，第二钝化层具有定位在比第一导电图案的顶表面的竖直水平低的竖直水平处的底表面。

公开(公告)号：CN107039301A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611140361.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边永镛 ,  宋浩圣 ,  金致旭

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了测试架构、测试系统及在晶圆级测试半导体装置的方法。从具有测试架构的晶圆制造半导体芯片的方法包括：在晶圆上形成多个裸片，多个裸片中每一个都包括半导体装置，形成通常耦合至裸片的至少两个共用焊盘，这至少两个共用焊盘在划片通道中形成，划片通道将裸片彼此划分，以及使用至少两个共用焊盘同时在晶圆级测试半导体装置。