公开(公告)号：CN118804586A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311530991.X

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳喜齐 ,  赵炯纪

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 一种半导体存储器件包括：在第一方向上延伸的位线；半导体图案，其设置在所述位线上并且在所述第一方向上彼此间隔开，并且均包括第一垂直部、第二垂直部和水平部；第一字线和第二字线，所述第一字线和所述第二字线设置在所述水平部上并且分别与所述第一垂直部和所述第二垂直部相邻；和设置在所述位线上并且位于所述半导体图案之间的半导体电介质图案。所述半导体电介质图案包括：下覆盖图案；在所述下覆盖图案上在所述第一方向上彼此间隔开的侧壁电介质图案；位于所述侧壁电介质图案之间的气隙；和设置在所述侧壁电介质图案上的上覆盖图案。所述侧壁电介质图案的顶表面的高度处于与所述第一垂直部和所述第二垂直部的顶表面相同的高度处。

公开(公告)号：CN116916650A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310032343.5

申请日：2023-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  柳民泰 ,  柳喜齐 ,  柳成原 ,  李镕珍 ,  李元锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构，包括在半导体基底上的外围电路和在外围电路上的第一介电层；单元阵列结构，在半导体基底上；以及屏蔽层，在外围电路结构和单元阵列结构之间。单元阵列结构包括：位线；第一有源图案和第二有源图案，在位线上；第一字线，在第一有源图案上沿第二方向延伸；第二字线，在第二有源图案上沿第二方向延伸；数据存储图案，在第一有源图案和第二有源图案上；以及第二介电层，在半导体基底上。第一介电层的氢浓度大于第二介电层的氢浓度。

公开(公告)号：CN116825851A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310013153.9

申请日：2023-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成原 ,  金容锡 ,  柳民泰 ,  柳喜齐 ,  李镕珍 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元，所述半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；沟道层。在基底与栅电极之间；源电极，与沟道层的第一侧壁接触；以及漏电极，与沟道层的第二侧壁接触。第二侧壁与第一侧壁相对。沟道层包括与源电极和漏电极中的一者接触的第一沟道图案，以及在第一沟道图案与栅电极之间的第二沟道图案。第一沟道图案和第二沟道图案包括彼此不同的氧化物半导体材料。源电极的一部分和漏电极的一部分与栅电极的一部分叠置。