公开(公告)号：CN106977673A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

CPC classification number: C08F293/005 ,  B82Y40/00 ,  C08F12/20 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  C08F212/14 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

公开(公告)号：CN107064564B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201710061606.X

申请日：2017-01-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李京美 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  权承哲 ,  金尚郁 ,  崔荣珠

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了形成微图案的方法、基板表面检查装置、用于原子力显微镜的悬臂装置、分析半导体基板的表面的方法、以及探针尖端。该形成微图案的方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；以及通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。

公开(公告)号：CN106977673B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

公开(公告)号：CN103048876A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210383423.7

申请日：2012-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贞珠 ,  金京美 ,  金珉廷 ,  李东峻 ,  金富得

IPC: G03F1/56 ,  G03F7/20 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/203 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸。该方法还包括：在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN106909032B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201610997545.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珠英 ,  朴贞珠 ,  朴珍 ,  罗惠燮

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  C11D11/00 ,  C11D1/66 ,  H01L21/311

Abstract: 公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。

公开(公告)号：CN107064564A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710061606.X

申请日：2017-01-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李京美 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  权承哲 ,  金尚郁 ,  崔荣珠

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/28 ,  G01Q60/42 ,  H01L21/67288 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/00 ,  G01Q60/38 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供了形成微图案的方法、基板表面检查装置、用于原子力显微镜的悬臂装置、分析半导体基板的表面的方法、以及探针尖端。该形成微图案的方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；以及通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。

公开(公告)号：CN106909032A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201610997545.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珠英 ,  朴贞珠 ,  朴珍 ,  罗惠燮

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  C11D11/00 ,  C11D1/66 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C11D1/00 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/42 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  G03F7/422 ,  C11D1/66 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/31133

Abstract: 公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。