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公开(公告)号：CN1789487A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510136987.0
申请日：2005-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种用于淀积金属化合物层的方法和设备中，在衬底上可以提供第一源气体和第二源气体，以在衬底上淀积第一金属化合物层。第一源气体可以包括金属和卤族元素，以及第二源气体可以包括能与金属反应的第一材料和能与卤族元素反应的第二材料。第一和第二源气体可以以第一流速比提供。通过用不同于第一流速比的第二流速比提供第一和第二源气体，可以在第一金属化合物层上连续地淀积第二金属化合物层。该设备可以包括设为容纳衬底的处理室、供气系统和流速控制装置。
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公开(公告)号：CN105390580B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201510549322.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，其包括层叠式半导体结构，该层叠式半导体结构具有彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及有源层。第一电极和第二电极分别设置在层叠式半导体结构的第一表面和第二表面上。连接电极延伸至第一表面以连接至第二电极。支承衬底设置在第二电极上，并且绝缘层使连接电极与有源层和第一导电类型的半导体层绝缘。
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公开(公告)号：CN104009142B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410059748.9
申请日：2014-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层在穿过所述过孔之后延伸至封装件衬底的两个表面。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104008964A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410058164.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上形成有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨，使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。
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公开(公告)号：CN104008964B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410058164.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上形成有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨，使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。
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公开(公告)号：CN105390580A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510549322.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，其包括层叠式半导体结构，该层叠式半导体结构具有彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及有源层。第一电极和第二电极分别设置在层叠式半导体结构的第一表面和第二表面上。连接电极延伸至第一表面以连接至第二电极。支承衬底设置在第二电极上，并且绝缘层使连接电极与有源层和第一导电类型的半导体层绝缘。
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公开(公告)号：CN104009142A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410059748.9
申请日：2014-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层在穿过所述过孔之后延伸至封装件衬底的两个表面。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。
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公开(公告)号：CN103429001A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310179067.1
申请日：2013-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05K3/00
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/3083 , H01L21/76898 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明提供了一种制造用于安装电子器件的衬底的方法。所述方法包括步骤：在所述衬底的除边缘部分之外的表面上布置保护层；在所述衬底的除布置了所述保护层之外的整个表面上布置氧化物膜；生长所述氧化物膜；通过选择性地刻蚀所述保护层来在所述衬底的厚度方向上形成通孔；以及去除所述氧化物膜。在所述制造方法中，可以减小用于安装电子器件的衬底中的缺陷，并且可以减小制造成本。
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