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公开(公告)号：CN1789487A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510136987.0
申请日：2005-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种用于淀积金属化合物层的方法和设备中，在衬底上可以提供第一源气体和第二源气体，以在衬底上淀积第一金属化合物层。第一源气体可以包括金属和卤族元素，以及第二源气体可以包括能与金属反应的第一材料和能与卤族元素反应的第二材料。第一和第二源气体可以以第一流速比提供。通过用不同于第一流速比的第二流速比提供第一和第二源气体，可以在第一金属化合物层上连续地淀积第二金属化合物层。该设备可以包括设为容纳衬底的处理室、供气系统和流速控制装置。
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