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公开(公告)号：CN119403189A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411004238.1
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：基底；有源区域，在基底上沿着第一水平方向延伸，并且包括第一有源图案、第二有源图案和过渡有源图案，第一有源图案在基底的底表面上方沿着竖直方向的第一高度处并且在水平的第二方向上具有第一宽度，第二有源图案在第二方向上具有不同于第一宽度的第二宽度，过渡有源图案将第一有源图案连接到第二有源图案；栅极结构，与有源区域交叉，每个栅极结构在第二方向上横跨基底延伸；源极/漏极区域，设置在栅极结构的侧面上，并且包括设置在第一有源图案上的第一源极/漏极区域、设置在第二有源图案上的第二源极/漏极区域和设置在过渡有源图案上的过渡源极/漏极区域。
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