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公开(公告)号：CN1811386A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610005868.6
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C03C17/28 , C03C2218/111 , C03C2218/365 , G01N21/278 , G01N21/6452
Abstract: 本发明提供一种光学扫描器的校准装置，包括其上固定有能够形成激元的分子的基底。本发明还提供一种制备该校准装置的方法和利用该校准装置校准光学扫描器的方法。
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公开(公告)号：CN1222624C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN02147199.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6837 , C12Q2563/107 , C12Q2545/113
Abstract: 本发明提供了DNA微阵列的质量控制方法，其包括制备含有第一种荧光染料的DNA点样溶液，所述荧光染料具有特定的激发和发射波长，将DNA点样溶液上样于DNA芯片的基质上以形成DNA斑点，其中第一种荧光染料与基质结合，和检测DNA斑点发出的荧光信号。在DNA微阵列的质量控制方法中，由于与DNA探针一起共价结合于固体芯片表面的荧光染料发出的信号被用于质量控制，因此无需进行常规质量控制方法中的染色和除去染料的过程。
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公开(公告)号：CN1811386B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200610005868.6
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C03C17/28 , C03C2218/111 , C03C2218/365 , G01N21/278 , G01N21/6452
Abstract: 本发明提供一种光学扫描器的校准装置，包括其上固定有能够形成激元的分子的基底。本发明还提供一种制备该校准装置的方法和利用该校准装置校准光学扫描器的方法。
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公开(公告)号：CN101051037A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710091617.9
申请日：2007-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N27/414 , G01N33/53 , H01L29/51
CPC classification number: G01N33/54373
Abstract: 提供一种在传感表面上不用固定生物分子的情况下使用场效应晶体管检测生物分子的存在或靶生物分子浓度的方法。场效应晶体管包括：半导体基底；在基底上分开形成并被掺杂以具有与基底相反的极性的源极区域和漏极区域；布置在源极区域和漏极区域之间的通道区域；具有布置在通道区域上的传感表面并由电绝缘材料组成的绝缘层；和布置在绝缘层上方并与其分开的参比电极。所述方法包括将具有第一靶生物分子的第一样品提供到场效应晶体管的传感表面上和测量场效应晶体管的电信号变化。
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公开(公告)号：CN1443854A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN02147199.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6837 , C12Q2563/107 , C12Q2545/113
Abstract: 本发明提供了DNA微阵列的质量控制方法，其包括制备含有第一种荧光染料的DNA点样溶液，所述荧光染料具有特定的激发和发射波长，将DNA点样溶液上样于DNA芯片的基质上以形成DNA斑点，其中第一种荧光染料与基质结合，和检测DNA斑点发出的荧光信号。在DNA微阵列的质量控制方法中，由于与DNA探针一起共价结合于固体芯片表面的荧光染料发出的信号被用于质量控制，因此无需进行常规质量控制方法中的染色和除去染料的过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100399059C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510077974.0
申请日：2005-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N21/6428 , B01J19/0046 , B01J2219/00317 , B01J2219/00385 , B01J2219/00432 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00621 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , B01J2219/00675 , B01J2219/00677 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/00731 , B01L2300/0636 , B01L2300/0819 , B82Y30/00 , G01N21/45 , G01N21/6452
Abstract: 本发明提供了在基底上具有构图薄层的微阵列基底。在该微阵列基底中，基底的反射率不同于薄层材料的反射率，并且所述构图薄层包含具有一定厚度的点样区和具有一定厚度的背景区，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的点样区发生相长干涉，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的背景区发生相消干涉。
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公开(公告)号：CN101051038A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710093681.0
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N27/414 , G01N33/543 , H01L29/51
CPC classification number: G01N33/54373 , G01N27/4145
Abstract: 提供一种使用场效应晶体管检测靶生物分子的存在或生物分子浓度的方法。该方法包括：将具有第一靶生物分子的第一样品提供到场效应晶体管的传感表面并测量场效应晶体管的第一电信号变化；将第二样品提供到同一场效应晶体管的传感表面并测量场效应晶体管的第二电信号变化；以及比较第一电信号和第二电信号，其中场效应晶体管包括：由半导体材料组成的基底；在基底上分开形成并被掺杂具有与基底相反的极性的源极区域和漏极区域；布置在源极区域和漏极区域之间的通道区域；布置在通道区域上并具有由电绝缘材料组成的传感表面的绝缘层；和布置在绝缘层的传感表面上方并与其分开的参比电极。
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公开(公告)号：CN1811398A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610005056.1
申请日：2006-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N27/414 , G01N33/68 , G01N33/543 , H01L29/51
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y15/00 , G01N27/4145
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管(FET)型生物传感器，其包括源极、栅极和漏极。向该栅极表面加入能够与核酸侧部结合的配体。在常规FET型生物传感器中，难于在德拜长度内检测到信号，因为目标核酸直接固定于常规FET栅极的表面。然而，在本发明中，通过用能够与核酸侧部结合的配体处理FET传感器的栅极表面，可以克服该问题并且可以增加德拜长度。所述配体可以吸附在栅极的表面。这种情况下，核酸平行而不是垂直地吸附于栅极表面，从而产生有效的耗尽区(depletion region)。另外，可以增加杂交效率，因为杂交样品可以高离子强度注入到FET传感器中。
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公开(公告)号：CN106252584B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610390165.3
申请日：2016-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M10/052
Abstract: 本公开提供了二次电池结构、单电池结构和电池系统。二次电池结构包括：第一电极结构，包括彼此分隔开的多个第一电极元件并设置成阵列的形式；第二电极结构，与第一电极结构分隔开并包括第二电极元件；以及电解质，允许离子在第一电极结构和第二电极结构之间运动，其中第一电极结构和第二电极结构限定阴极和阳极，并且第一电极元件的数量和第二电极元件的数量彼此不同。
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公开(公告)号：CN106252584A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610390165.3
申请日：2016-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M10/052
CPC classification number: H01M10/4257 , H01M4/131 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , H01M2004/025 , H01M2004/028 , H01M2010/0495 , H01M2010/4271 , H01M2010/4278 , H01M2220/30 , H02J7/0068 , H01M4/13 , H01M10/052
Abstract: 本公开提供了二次电池结构、单电池结构和电池系统。二次电池结构包括：第一电极结构，包括彼此分隔开的多个第一电极元件并设置成阵列的形式；第二电极结构，与第一电极结构分隔开并包括第二电极元件；以及电解质，允许离子在第一电极结构和第二电极结构之间运动，其中第一电极结构和第二电极结构限定阴极和阳极，并且第一电极元件的数量和第二电极元件的数量彼此不同。
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