公开(公告)号：CN101046462A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610168612.7

申请日：2006-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭祥 ,  柳圭泰 ,  沈储暎 ,  郑洹锡 ,  赵莲子

IPC: G01N27/414 ,  G06F17/00

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/27

Abstract: 本发明提供同时检测离子材料的大小和浓度的方法和设备。该方法包括：利用用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个测量其大小和浓度已知的至少三种离子材料的电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个在三维图中确定至少三个点，所述三维图包括来自至少三种离子材料的已知大小、浓度和所述测量的电压降值的大小、浓度和电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个将至少所述三个点近似为单个平面；利用所述至少两个传感器测量其大小和浓度未知的离子材料的电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个使用未知离子材料的电压降值确定在所述平面上存在的等势线；确定所述各等势线之间的交点。

公开(公告)号：CN1811386A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005868.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  郑盛旭 ,  南宫吉娜 ,  柳圭泰 ,  马壮锡

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/00

CPC classification number: C03C17/28 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/365 ,  G01N21/278 ,  G01N21/6452

Abstract: 本发明提供一种光学扫描器的校准装置，包括其上固定有能够形成激元的分子的基底。本发明还提供一种制备该校准装置的方法和利用该校准装置校准光学扫描器的方法。

公开(公告)号：CN1811386B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200610005868.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  郑盛旭 ,  南宫吉娜 ,  柳圭泰 ,  马壮锡

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/00

CPC classification number: C03C17/28 ,  C03C2218/111 ,  C03C2218/365 ,  G01N21/278 ,  G01N21/6452

Abstract: 本发明提供一种光学扫描器的校准装置，包括其上固定有能够形成激元的分子的基底。本发明还提供一种制备该校准装置的方法和利用该校准装置校准光学扫描器的方法。

公开(公告)号：CN101051037A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710091617.9

申请日：2007-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳圭泰 ,  李圭祥 ,  郑洹锡 ,  沈储暎 ,  赵莲子

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/53 ,  H01L29/51

CPC classification number: G01N33/54373

Abstract: 提供一种在传感表面上不用固定生物分子的情况下使用场效应晶体管检测生物分子的存在或靶生物分子浓度的方法。场效应晶体管包括：半导体基底；在基底上分开形成并被掺杂以具有与基底相反的极性的源极区域和漏极区域；布置在源极区域和漏极区域之间的通道区域；具有布置在通道区域上的传感表面并由电绝缘材料组成的绝缘层；和布置在绝缘层上方并与其分开的参比电极。所述方法包括将具有第一靶生物分子的第一样品提供到场效应晶体管的传感表面上和测量场效应晶体管的电信号变化。

公开(公告)号：CN101051038A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710093681.0

申请日：2007-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳圭泰 ,  李圭祥 ,  沈储暎 ,  郑洹锡 ,  赵莲子

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/543 ,  H01L29/51

CPC classification number: G01N33/54373 ,  G01N27/4145

Abstract: 提供一种使用场效应晶体管检测靶生物分子的存在或生物分子浓度的方法。该方法包括：将具有第一靶生物分子的第一样品提供到场效应晶体管的传感表面并测量场效应晶体管的第一电信号变化；将第二样品提供到同一场效应晶体管的传感表面并测量场效应晶体管的第二电信号变化；以及比较第一电信号和第二电信号，其中场效应晶体管包括：由半导体材料组成的基底；在基底上分开形成并被掺杂具有与基底相反的极性的源极区域和漏极区域；布置在源极区域和漏极区域之间的通道区域；布置在通道区域上并具有由电绝缘材料组成的传感表面的绝缘层；和布置在绝缘层的传感表面上方并与其分开的参比电极。

公开(公告)号：CN1811398A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005056.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  南宫吉娜 ,  柳圭泰 ,  郑盛旭 ,  朴俊植

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/68 ,  G01N33/543 ,  H01L29/51

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/4145

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管(FET)型生物传感器，其包括源极、栅极和漏极。向该栅极表面加入能够与核酸侧部结合的配体。在常规FET型生物传感器中，难于在德拜长度内检测到信号，因为目标核酸直接固定于常规FET栅极的表面。然而，在本发明中，通过用能够与核酸侧部结合的配体处理FET传感器的栅极表面，可以克服该问题并且可以增加德拜长度。所述配体可以吸附在栅极的表面。这种情况下，核酸平行而不是垂直地吸附于栅极表面，从而产生有效的耗尽区(depletion region)。另外，可以增加杂交效率，因为杂交样品可以高离子强度注入到FET传感器中。