公开(公告)号：CN100399059C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510077974.0

申请日：2005-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  南宫智娜 ,  黄奎渊

IPC: G02B1/10 ,  G01N33/50

CPC classification number: G01N21/6428 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00385 ,  B01J2219/00432 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00576 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00675 ,  B01J2219/00677 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00731 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0819 ,  B82Y30/00 ,  G01N21/45 ,  G01N21/6452

Abstract: 本发明提供了在基底上具有构图薄层的微阵列基底。在该微阵列基底中，基底的反射率不同于薄层材料的反射率，并且所述构图薄层包含具有一定厚度的点样区和具有一定厚度的背景区，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的点样区发生相长干涉，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的背景区发生相消干涉。

公开(公告)号：CN1880976A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510077974.0

申请日：2005-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  南宫智娜 ,  黄奎渊

IPC: G02B1/10 ,  G01N33/50

CPC classification number: G01N21/6428 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00385 ,  B01J2219/00432 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00576 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00675 ,  B01J2219/00677 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00731 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0819 ,  B82Y30/00 ,  G01N21/45 ,  G01N21/6452

Abstract: 本发明提供了在基底上具有构图薄层的微阵列基底。在该微阵列基底中，基底的反射率不同于薄层材料的反射率，并且所述构图薄层包含具有一定厚度的点样区和具有一定厚度的背景区，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的点样区发生相长干涉，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的背景区发生相消干涉。