公开(公告)号：CN1227966A

公开(公告)日：1999-09-08

申请号：CN98123103.9

申请日：1998-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林正根 ,  朴俊植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 提供一种制造半导体器件的装置及制造半导体器件电容器的方法，防止由于清洗工艺期间HSG膜的磨损造成的半导体器件电容器的下电极上的HSG膜表面积减小。制造电容器的方法包括以下步骤：a)在形成于半导体衬底上的特定结构上形成半导体器件电容器的下电极；b)在下电极的暴露表面上形成HSG膜；c)稳定HSG膜，以防止由于随后的清洗步骤期间HSG膜的磨损造成的HSG膜表面积的减小；d)清洗稳定化了的HSG膜。

公开(公告)号：CN1811398A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005056.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  南宫吉娜 ,  柳圭泰 ,  郑盛旭 ,  朴俊植

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/68 ,  G01N33/543 ,  H01L29/51

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/4145

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管(FET)型生物传感器，其包括源极、栅极和漏极。向该栅极表面加入能够与核酸侧部结合的配体。在常规FET型生物传感器中，难于在德拜长度内检测到信号，因为目标核酸直接固定于常规FET栅极的表面。然而，在本发明中，通过用能够与核酸侧部结合的配体处理FET传感器的栅极表面，可以克服该问题并且可以增加德拜长度。所述配体可以吸附在栅极的表面。这种情况下，核酸平行而不是垂直地吸附于栅极表面，从而产生有效的耗尽区(depletion region)。另外，可以增加杂交效率，因为杂交样品可以高离子强度注入到FET传感器中。

公开(公告)号：CN1246882C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN98123103.9

申请日：1998-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林正根 ,  朴俊植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 提供一种制造半导体器件的装置及制造半导体器件电容器的方法，防止由于清洗工艺期间HSG膜的磨损造成的半导体器件电容器的下电极上的HSG膜表面积减小。制造电容器的方法包括以下步骤：a)在形成于半导体衬底上的特定结构上形成半导体器件电容器的下电极；b)在下电极的暴露表面上形成HSG膜；c)稳定HSG膜，以防止由于随后的清洗步骤期间HSG膜的磨损造成的HSG膜表面积的减小；d)清洗稳定化了的HSG膜。