-
公开(公告)号：CN104659096A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410433124.9
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
-
公开(公告)号：CN104347520A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/788 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C14/0063 , G11C16/0433 , G11C2213/15 , G11C2213/53 , H01L27/11521 , H01L28/00 , H01L29/408 , H01L29/42324 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/685 , H01L29/78 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/147 , H01L21/8239 , H01L27/115 , H01L29/66007
Abstract: 本发明提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
-
公开(公告)号：CN104103671A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
-
公开(公告)号：CN104347520B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
-
公开(公告)号：CN104103671B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102044553A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010229497.6
申请日：2010-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/73 , G11C2213/79 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件可以包括：衬底；多条第一信号线，在衬底上且沿垂直方向；多个存储单元，具有连接到多条第一信号线的末端；多条第二信号线，在衬底上且垂直于多条第一信号线，并且每个所述第二信号线连接到多个存储单元的另一末端；以及多个选择元件，在衬底上并连接到多条第一信号线中的至少两条。
-
公开(公告)号：CN103807637B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310170770.6
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/0131 , G02B6/12007 , G02B6/29395 , G02F1/0128 , G02F1/03 , G02F1/167 , G02F2202/32 , G02F2203/055 , G06F3/03545
Abstract: 提供一种发光装置，该发光装置配置为允许使用者自由地选择和射出在可见光区域内的期望颜色的光。发光装置包括：光源，发射白光；光子晶体，使从光源发出的白光中的预定波长的光通过；以及光学系统，将通过光子晶体的光朝向外部射出。光子晶体可以被电地或机械地控制以调整从其通过或从其被反射的光的波长。
-
公开(公告)号：CN103807637A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310170770.6
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/0131 , G02B6/12007 , G02B6/29395 , G02F1/0128 , G02F1/03 , G02F1/167 , G02F2202/32 , G02F2203/055 , G06F3/03545
Abstract: 提供一种发光装置，该发光装置配置为允许使用者自由地选择和射出在可见光区域内的期望颜色的光。发光装置包括：光源，发射白光；光子晶体，使从光源发出的白光中的预定波长的光通过；以及光学系统，将通过光子晶体的光朝向外部射出。光子晶体可以被电地或机械地控制以调整从其通过或从其被反射的光的波长。
-
公开(公告)号：CN102737714A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210080500.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/04
CPC classification number: G11C13/06 , G02B5/008 , G02F2203/10
Abstract: 本发明提供一种光学元件和包括该光学元件的信息存储器件。该光学元件可以包括用于将圆偏振光转变为等离子体激元并发射该等离子体激元的光波导结构。光波导结构可以发射圆偏振等离子体激元场。光学元件可以用在信息存储器件中。例如，信息存储器件可以包括记录介质和用于在记录介质上记录信息的记录元件，记录元件可以包括光学元件。通过利用由光学元件产生的圆偏振等离子体激元场，信息可以被记录在记录介质上。
-
公开(公告)号：CN107039453B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201610829023.2
申请日：2016-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 一种非易失性逆变器可以被配置为执行存储器功能。该非易失性逆变器可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管可以包括第一栅电极、第一电极以及第二电极。第二晶体管可以包括第二栅电极和第三电极，并且可以与第一晶体管共享第二电极。第一晶体管可以包括第一切换层和电荷俘获层。第一切换层可以被配置为在高电阻态与低电阻态之间进行切换。电荷复活层可以被配置为根据切换层的电阻状态来俘获或释放电荷。第一切换层可以包括P‑N二极管。第二晶体管可以包括第二栅切换层和电荷俘获层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.039 seconds)
