公开(公告)号：CN119835935A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410855046.5

申请日：2024-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕珍 ,  柳民泰 ,  宋映槿 ,  安商熏 ,  赵珉熙 ,  河大元

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的层间绝缘层；在层间绝缘层中在第一方向上延伸的位线；半导体图案，在位线上，并且包括在第一方向上彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及将第一垂直部分和第二垂直部分彼此连接的水平部分；第一字线和第二字线，在水平部分上并分别与第一垂直部分和第二垂直部分相邻；以及栅极绝缘图案，插设在第一垂直部分和第一字线之间以及在第二垂直部分和第二字线之间。层间绝缘层的上表面和位线的上表面彼此共面。

公开(公告)号：CN119677100A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411270684.7

申请日：2024-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泓浚 ,  李基硕 ,  金熙中 ,  宋暎槿 ,  李镕珍

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括位线、沟道、第一封盖图案、栅极绝缘图案、栅电极和电容器。位线位于衬底上，并且位线中的每一个在第一方向上延伸。位线在第二方向上彼此间隔开。沟道在第一方向上彼此间隔开。第一封盖图案位于沟道中的每一个的侧壁上。栅极绝缘图案位于第一封盖图案的侧壁上。栅电极位于栅极绝缘图案的侧壁上。电容器电连接到沟道中的相应的沟道。

公开(公告)号：CN119317104A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410642689.1

申请日：2024-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕珍 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  赵珉熙 ,  赵始衍

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了具有改进的集成度和电特性的半导体存储装置，包括：位线，在衬底上在第一方向上延伸；沟道结构，在位线上并且包括在第二方向上延伸的第一垂直部分和在第一方向上与第一垂直部分间隔开并在第二方向上延伸的第二垂直部分；背栅电极，在沟道结构的至少一侧上在位线上并在第二方向上延伸；背栅极绝缘膜，在背栅电极和沟道结构之间；背栅极覆盖膜，在背栅电极和背栅极绝缘膜上；第一字线，在第一垂直部分和第二垂直部分之间并在第二方向上延伸；第二字线，在第一垂直部分和第二垂直部分之间、在第二方向上延伸并在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，在第一垂直部分和第二垂直部分上连接到第一垂直部分和第二垂直部分。

公开(公告)号：CN118368887A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311225843.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋映槿 ,  严祥训 ,  李镕珍 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体器件包括在衬底上沿第一方向延伸的位线。第一绝缘图案设置在位线上。沟道图案设置在位线的上侧和第一绝缘图案的横向侧。沟道图案包括氧化物半导体材料。栅极绝缘图案设置在沟道图案上。字线设置在栅极绝缘图案上。第二绝缘图案设置在字线上。着接焊盘设置在沟道图案上。层间绝缘层设置在位线和沟道图案之间。

公开(公告)号：CN118695588A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410330898.2

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕珍 ,  宋映槿 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括基板、在基板上在第一水平方向上延伸的位线、在位线上的第一模层、在位线上的沟道层、在沟道层的侧壁上并且在第二水平方向上延伸的一条或更多条字线、以及在字线与沟道层之间的栅极绝缘层，其中第一模层限定暴露位线的上表面的一部分的模开口，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，其中沟道层包括第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及在第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间的辅助沟道层。

公开(公告)号：CN116916650A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310032343.5

申请日：2023-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  柳民泰 ,  柳喜齐 ,  柳成原 ,  李镕珍 ,  李元锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构，包括在半导体基底上的外围电路和在外围电路上的第一介电层；单元阵列结构，在半导体基底上；以及屏蔽层，在外围电路结构和单元阵列结构之间。单元阵列结构包括：位线；第一有源图案和第二有源图案，在位线上；第一字线，在第一有源图案上沿第二方向延伸；第二字线，在第二有源图案上沿第二方向延伸；数据存储图案，在第一有源图案和第二有源图案上；以及第二介电层，在半导体基底上。第一介电层的氢浓度大于第二介电层的氢浓度。

公开(公告)号：CN116825851A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310013153.9

申请日：2023-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成原 ,  金容锡 ,  柳民泰 ,  柳喜齐 ,  李镕珍 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元，所述半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；沟道层。在基底与栅电极之间；源电极，与沟道层的第一侧壁接触；以及漏电极，与沟道层的第二侧壁接触。第二侧壁与第一侧壁相对。沟道层包括与源电极和漏电极中的一者接触的第一沟道图案，以及在第一沟道图案与栅电极之间的第二沟道图案。第一沟道图案和第二沟道图案包括彼此不同的氧化物半导体材料。源电极的一部分和漏电极的一部分与栅电极的一部分叠置。

公开(公告)号：CN116744672A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202211569365.7

申请日：2022-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕珍 ,  金容锡 ,  柳民泰 ,  柳熙济 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底；导线，在衬底上方沿第一水平方向延伸；在导线上方的隔离绝缘层，包括在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并从隔离绝缘层的上表面延伸到下表面的沟道槽；沟道结构，设置在导线上方；栅电极，在沟道槽中沿第二水平方向延伸；电容器结构，在隔离绝缘层上方，以及接触结构，介于沟道结构与电容器结构之间，其中，沟道结构包括：非晶氧化物半导体层，设置在导线上方并在沟道槽中；以及上晶体氧化物半导体层，介于非晶氧化物半导体层与接触结构之间。