公开(公告)号：CN119342836A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410970238.0

申请日：2024-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李葰逸 ,  金容俊 ,  金灿镐 ,  南尙完 ,  李隆彬

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/41 ,  H10B41/50 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了半导体装置和包括其的数据存储系统。所述半导体装置可以包括第一半导体结构，第一半导体结构包括基底、位于基底中的有源区域、限定有源区域的器件隔离区域以及位于器件隔离区域上并与器件隔离区域竖直地叠置的电容器结构。电容器结构可以包括第一电极结构、第二电极结构和第一绝缘结构，第一电极结构在第一方向上延伸并包括在第一方向上堆叠的第一电容器电极，第二电极结构包括在第一方向上堆叠的第二电容器电极，第一绝缘结构位于第一电极结构与第二电极结构之间。第一电容器电极和第二电容器电极在与基底的上表面平行的第二方向上交替地布置且彼此间隔开，在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸，并且均具有板形状。

公开(公告)号：CN118486676A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202311534823.8

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昌玟 ,  金贤慜 ,  朴俊泽 ,  李东镇 ,  李隆彬 ,  林濬熙

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括第一衬底、设置在第一衬底上的晶体管、以及连接到晶体管的第一互连层。第一互连层包括在平行于第一衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开的第一导线、第二导线和第三导线。第二导线设置在第一导线和第三导线之间。第二导线的顶表面相对于第一衬底的顶表面位于比第一导线和第三导线的顶表面高的高度处。

公开(公告)号：CN118230770A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311634041.1

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昌玟 ,  李隆彬 ,  李东镇 ,  林浚熙

IPC: G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G06F12/0882 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和一种电子系统，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠在基板上的多条字线以及在多条字线下方的共源极线；多条驱动信号线，其连接到行解码器；以及多个传输晶体管阵列，多个传输晶体管阵列中的每一个包括分别连接多条驱动信号线和多条字线的多个竖直传输晶体管，其中，多个传输晶体管阵列中的每一个还包括有源区域以及向有源区域施加信号的主接触件，该有源区域包括漏极，多个竖直传输晶体管中的至少两个同时接合到该漏极。