公开(公告)号：CN117518728A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310808715.9

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀暻 ,  黄灿 ,  郑钟贤 ,  李茂松

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/38

Abstract: 公开了一种用于形成抗蚀图案的方法。根据该方法，通过使用无机光刻胶在衬底上形成感光层。用深紫外(DUV)光照射感光层。在照射DUV光之后，用极紫外(EUV)光照射感光层。对暴露于EUV光的感光层进行加热。对加热后的感光层进行显影。

公开(公告)号：CN118678662A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311531362.9

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀暻 ,  黄灿 ,  郑钟贤 ,  李茂松

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：提供包括单元区域和外围区域的衬底；在所述单元区域上形成单元栅极结构；在所述外围区域上形成外围栅极结构；在所述单元区域上形成位线结构；形成初步导电层以覆盖所述位线结构和所述外围栅极结构；和蚀刻所述初步导电层以形成定位焊盘和外围导电焊盘。蚀刻所述初步导电层可以包括在所述初步导电层上形成下层和光致抗蚀剂层，对所述光致抗蚀剂层执行第一曝光工艺，对所述光致抗蚀剂层执行第二曝光工艺，和使用所述光致抗蚀剂层和所述下层作为蚀刻掩模蚀刻所述初步导电层。所述第一曝光工艺可以将所述光致抗蚀剂层的位于所述单元区域上的部分曝露于光。