公开(公告)号：CN111987104A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010206330.1

申请日：2020-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳镇 ,  李东植 ,  任峻成

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括在衬底上彼此间隔开的多个电介质层、插设在所述多个电介质层之间的多个电极、和插设在所述多个电介质层之间的多个停止层；以及穿透堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个电极和所述多个停止层中的每个分别设置在所述多个电介质层中的相邻电介质层之间，所述多个停止层包括第一停止层和插设在第一停止层与衬底之间的第二停止层，以及所述多个电极中的至少一个插设在第一停止层和第二停止层之间。

公开(公告)号：CN113224075A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110080779.2

申请日：2021-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东植 ,  李炳镇 ,  黄盛珉

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置及其制造方法。该三维半导体存储器装置包括具有单元和连接区的衬底。电极结构设置在衬底上，电极结构在连接区上具有台阶结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构分别至少部分地穿透单元区和连接区上的电极结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构的扩展部分的底部分别位于第一水平高度处和第二水平高度处。第二水平高度高于第一水平高度。

公开(公告)号：CN113140573A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011532810.3

申请日：2020-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁宇成 ,  李炳镇 ,  康范圭 ,  任峻成

IPC: H01L27/11573 ,  H01L25/18

Abstract: 一种存储器装置包括下部结构和堆叠在下部结构上的多个上部结构。下部结构包括外围电路和设置在下部结构的顶表面上的上接合焊盘。多个上部结构中的每一个包括位线、穿通件和设置在上部结构的底表面上并连接至穿通件的下接合焊盘。除了最上面的上部结构之外，每个上部结构还包括设置在其顶表面上并连接至穿通件的上接合焊盘。位线包括在水平方向上将位线的第一部分与该位线的第二部分分离的间隙，并且在平面图中，穿通件与位线的间隙重叠。

公开(公告)号：CN106601746B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201610461705.2

申请日：2016-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东植 ,  李雄燮 ,  白石千 ,  李炳镇

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：栅电极，垂直地堆叠在基底上；通道孔，垂直地延伸到基底，通道孔穿过栅电极，通道孔具有通道区域；栅极焊盘，以不同的长度从栅电极延伸；接触塞，连接到栅极焊盘，栅极焊盘的至少一部分具有厚度比连接到栅极焊盘的所述至少一部分的栅电极的厚度小的区域。

公开(公告)号：CN113130504A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110054620.3

申请日：2021-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁宇成 ,  李炳镇 ,  康范圭 ,  李东植

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种三维半导体存储器装置包括：第一外围电路，其包括不同的解码器电路；第一外围电路上的第一存储器；以及第一存储器上的第二存储器，第一存储器包括：第一堆叠结构，其具有堆叠在彼此上的第一电极层和它们之间的第一电极间介电层；第一平面化介电层，其覆盖第一堆叠结构的端部；以及穿通件，其穿透第一堆叠结构的端部，穿通件电连接至所述解码器电路中的一个，第二存储器包括：第二堆叠结构，其具有堆叠在彼此上的第二电极层以及它们之间的第二电极间介电层；第二平面化介电层，其覆盖第二堆叠结构的端部；以及单元接触插塞，其将第二电极层中的一个电连接至穿通件。

公开(公告)号：CN112310109A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010724423.3

申请日：2020-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  梁宇成 ,  李重锡 ,  李炳镇

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括：电极结构，每个电极结构包括彼此堆叠在衬底上的水平电极；位于电极结构之间并且沿着水平电极延伸的竖直电极；在电极结构的端部处连接到水平电极的第一接触件；连接到竖直电极的上部的第二接触件；以及，连接到第二接触件的顶表面的第一互连结构。第一互连结构包括第一子互连线和第二子互连线。第一子互连线在第一方向上延伸并且接触第二接触件的顶表面。第二子互连线在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且接触第一子互连线。

公开(公告)号：CN106601746A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610461705.2

申请日：2016-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东植 ,  李雄燮 ,  白石千 ,  李炳镇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：栅电极，垂直地堆叠在基底上；通道孔，垂直地延伸到基底，通道孔穿过栅电极，通道孔具有通道区域；栅极焊盘，以不同的长度从栅电极延伸；接触塞，连接到栅极焊盘，栅极焊盘的至少一部分具有厚度比连接到栅极焊盘的所述至少一部分的栅电极的厚度小的区域。