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公开(公告)号：CN110379450B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201811586144.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种从非易失性存储器器件读取初始化信息的方法。在该方法中，当检测到加电时，非易失性存储器器件对源电压进行分压，以产生要在初始化信息读取操作中向未选字线提供的低读取通过电压。低读取通过电压被设置为在接地电压和源电压之间的至少一个电压。非易失性存储器器件允许基于加电在初始化信息读取操作中不对源电压进行泵浦。在初始化信息读取操作中，非易失性存储器器件向未选字线提供低读取通过电压，并且向选定字线提供读取电压，以读取存储器单元中存储的初始化信息。
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公开(公告)号：CN110010612B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811562926.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：基板；第一存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在基板上的多条第一字线；金属间层，在第一存储结构上并包括多个中间焊盘，该多个中间焊盘与所述多条第一字线中的分开的相应第一字线连接；第二存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在金属间层上的多条第二字线；以及上金属层，在第二存储结构上并包括多个上焊盘，所述多个上焊盘与所述多条第二字线中的分开的相应第二字线连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110675907A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910553134.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和在其内部传输数据的方法，所述非易失性存储器装置包括竖直地堆叠在下半导体层上的上半导体层。上半导体层包括第一存储器组，第一存储器组与第二存储器组在第一水平方向上被分隔区域分隔开，下半导体层包括旁路电路，旁路电路位于分隔区域的至少一部分的下面并且被构造为选择性地将第一存储器组的第一位线与第二存储器组的第二位线连接。
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公开(公告)号：CN110010612A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811562926.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11548 , H01L27/11578 , H01L27/11575
Abstract: 一种存储器件包括：基板；第一存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在基板上的多条第一字线；金属间层，在第一存储结构上并包括多个中间焊盘，该多个中间焊盘与所述多条第一字线中的分开的相应第一字线连接；第二存储结构，包括在垂直于基板的顶表面的方向上堆叠在金属间层上的多条第二字线；以及上金属层，在第二存储结构上并包括多个上焊盘，所述多个上焊盘与所述多条第二字线中的分开的相应第二字线连接。
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公开(公告)号：CN110675907B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910553134.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和在其内部传输数据的方法，所述非易失性存储器装置包括竖直地堆叠在下半导体层上的上半导体层。上半导体层包括第一存储器组，第一存储器组与第二存储器组在第一水平方向上被分隔区域分隔开，下半导体层包括旁路电路，旁路电路位于分隔区域的至少一部分的下面并且被构造为选择性地将第一存储器组的第一位线与第二存储器组的第二位线连接。
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公开(公告)号：CN111081299A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910572730.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器器件，包括：第一存储器堆叠，包括彼此垂直堆叠的第一存储器单元；第二存储器堆叠，包括彼此垂直堆叠的存储器单元；以及控制逻辑，被配置为基于在第一存储器操作中施加到第一存储器堆叠中的第一存储器单元中的一个的第一电压，设置施加用于第二存储器堆叠中的第二存储器单元之一的第二存储器操作的第二电压的电压电平。第二存储器堆叠垂直堆叠在第一存储器堆叠上。使用第一电压确定第一存储器单元中的一个的单元特性。
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公开(公告)号：CN110379450A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201811586144.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种从非易失性存储器器件读取初始化信息的方法。在该方法中，当检测到加电时，非易失性存储器器件对源电压进行分压，以产生要在初始化信息读取操作中向未选字线提供的低读取通过电压。低读取通过电压被设置为在接地电压和源电压之间的至少一个电压。非易失性存储器器件允许基于加电在初始化信息读取操作中不对源电压进行泵浦。在初始化信息读取操作中，非易失性存储器器件向未选字线提供低读取通过电压，并且向选定字线提供读取电压，以读取存储器单元中存储的初始化信息。
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