公开(公告)号：CN1933165A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610153837.5

申请日：2006-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李翰柱 ,  崔国铉 ,  金京燮 ,  李庸懿 ,  李德重 ,  全宰弘 ,  李永范 ,  郑在宪 ,  朱章福

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227

Abstract: 本发明提供了一种包括多个透光的像素区的阵列基底，该阵列基底包括：开关元件，设置在由栅极线和源极线限定的每个像素区中，其中，开关元件与栅极线和源极线电连接；像素电极，与开关元件电连接；第一绝缘层，设置在开关元件上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的下面，其中，第二绝缘层的厚度取决于红光的峰值波长。

公开(公告)号：CN1933165B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200610153837.5

申请日：2006-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李翰柱 ,  崔国铉 ,  金京燮 ,  李庸懿 ,  李德重 ,  全宰弘 ,  李永范 ,  郑在宪 ,  朱章福

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227

Abstract: 本发明提供了一种包括多个透光的像素区的阵列基底，该阵列基底包括：开关元件，设置在由栅极线和源极线限定的每个像素区中，其中，开关元件与栅极线和源极线电连接；像素电极，与开关元件电连接；第一绝缘层，设置在开关元件上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的下面，其中，第二绝缘层的厚度取决于红光的峰值波长。

公开(公告)号：CN101162710A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710152434.3

申请日：2007-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德重 ,  宋大昊 ,  金京燮 ,  李庸懿

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底的制造方法，该方法包括：在基底上形成栅极绝缘膜和有源层；在有源层上形成包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的数据金属层；在数据金属层上形成第一光致抗蚀剂图案；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第二金属层和第一金属层同时进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对有源层进行干蚀刻；对第一光致抗蚀剂图案进行蚀刻以形成第二光致抗蚀剂图案，其中，通过第二光致抗蚀剂图案来去除沟道区；通过利用第二光致抗蚀剂图案对数据金属层的沟道区进行干蚀刻来形成源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN101170086A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710108519.1

申请日：2007-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德重 ,  金京燮 ,  李庸懿 ,  朴明一 ,  李东振

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供了一种制备薄膜晶体管基底的方法，该方法包括在基底上依次形成栅极绝缘层、有源层和数据金属膜。第一光刻胶图形在数据金属膜上形成，在沟道形成区内的第一光刻胶图形与不在沟道形成区内的第一光刻胶图形相比，具有相对小的厚度。利用第一光刻胶图形，对有源层和数据金属膜顺序进行刻蚀。利用包括六氟化硫气体和氧气的气体混合物，对第一光刻胶图形进行干法刻蚀，以形成在沟道形成区中形成有开口的第二光刻胶图形。然后利用第二光刻胶图形，对数据金属膜进行刻蚀。在此制备方法中，使用干法、湿法或酸清洗工序来减少基底中条纹(stringer)的形成。