公开(公告)号：CN118159038A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311592041.X

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河盛穆 ,  卢炯均 ,  裵健希 ,  裵真秀 ,  崔镒朱

IPC: H10B80/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/60 ,  H01L21/54

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括下芯片。芯片堆叠结构布置在下芯片上。芯片堆叠结构包括多个上芯片。底部填充层设置在下芯片与芯片堆叠结构之间以及所述多个上芯片之间。模塑层围绕底部填充层和芯片堆叠结构。下芯片具有位于下芯片的上表面上的至少一个下沟槽。所述多个上芯片中的至少一个上芯片在所述多个上芯片中的所述至少一个上芯片的上表面上具有至少一个上沟槽。

公开(公告)号：CN118431182A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311772378.9

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善行 ,  卢炯均 ,  河盛穆

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置可以包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；保护层，其位于衬底的第一表面上；金属层，其在衬底中，在平行于第一表面的第一方向上延伸，并且在垂直于第一表面的第二方向上彼此间隔开；过孔结构，其竖直地穿透金属层和衬底；电路层，其位于衬底的第二表面上；以及连接端子，其位于电路层的底表面上。当在平面图中观看时，金属层中的每一个可以具有四边形形状或圆形形状。