公开(公告)号：CN1246882C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN98123103.9

申请日：1998-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林正根 ,  朴俊植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 提供一种制造半导体器件的装置及制造半导体器件电容器的方法，防止由于清洗工艺期间HSG膜的磨损造成的半导体器件电容器的下电极上的HSG膜表面积减小。制造电容器的方法包括以下步骤：a)在形成于半导体衬底上的特定结构上形成半导体器件电容器的下电极；b)在下电极的暴露表面上形成HSG膜；c)稳定HSG膜，以防止由于随后的清洗步骤期间HSG膜的磨损造成的HSG膜表面积的减小；d)清洗稳定化了的HSG膜。

公开(公告)号：CN1227966A

公开(公告)日：1999-09-08

申请号：CN98123103.9

申请日：1998-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林正根 ,  朴俊植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 提供一种制造半导体器件的装置及制造半导体器件电容器的方法，防止由于清洗工艺期间HSG膜的磨损造成的半导体器件电容器的下电极上的HSG膜表面积减小。制造电容器的方法包括以下步骤：a)在形成于半导体衬底上的特定结构上形成半导体器件电容器的下电极；b)在下电极的暴露表面上形成HSG膜；c)稳定HSG膜，以防止由于随后的清洗步骤期间HSG膜的磨损造成的HSG膜表面积的减小；d)清洗稳定化了的HSG膜。