公开(公告)号：CN105845689A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610073151.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭 ,  姜大雄 ,  金大新 ,  薛光洙 ,  孙镐玟 ,  林升炫

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42348 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。

公开(公告)号：CN100373584C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410001967.8

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜大雄 ,  金泓秀 ,  崔正达 ,  朴奎灿 ,  曹盛纯 ,  任庸植 ,  场成男

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明提供制造具有多栅极绝缘层的半导体装置的方法以及由此制造的半导体装置。该方法包括在半导体衬底的第一区域和第二区域分别形成垫绝缘层和初始高电压栅极绝缘层。穿过垫绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第一隔离层被形成以定义第一区域中的第一有源区，而穿过初始高电压绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第二隔离层被形成以定义第二区域中的第二有源区。随后垫绝缘层被去除以露出第一有源区。低电压绝缘层形成在露出的第一有源区上。因此，可以使得在去除垫绝缘层以便在邻近第一隔离层的有源区上形成低电压栅极绝缘层的过程中形成在第一隔离层边缘处的凹陷区域(凹槽区域)的深度被最小化，并且它能够防止凹槽区域形成在第二隔离层的边缘处。

公开(公告)号：CN1518089A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001967.8

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜大雄 ,  金泓秀 ,  崔正达 ,  朴奎灿 ,  曹盛纯 ,  任庸植 ,  场成男

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明提供制造具有多栅极绝缘层的半导体装置的方法以及由此制造的半导体装置。该方法包括在半导体衬底的第一区域和第二区域分别形成垫绝缘层和初始高电压栅极绝缘层。穿过垫绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第一隔离层被形成以定义第一区域中的第一有源区，而穿过初始高电压绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第二隔离层被形成以定义第二区域中的第二有源区。随后垫绝缘层被去除以露出第一有源区。低电压绝缘层形成在露出的第一有源区上。因此，可以使得在去除垫绝缘层以便在邻近第一隔离层的有源区上形成低电压栅极绝缘层的过程中形成在第一隔离层边缘处的凹陷区域(凹槽区域)的深度被最小化，并且它能够防止凹槽区域形成在第二隔离层的边缘处。

公开(公告)号：CN105845689B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201610073151.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭 ,  姜大雄 ,  金大新 ,  薛光洙 ,  孙镐玟 ,  林升炫

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/8246

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。

公开(公告)号：CN105633089A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510810436.1

申请日：2015-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  姜大雄 ,  方孝济 ,  李昌燮 ,  许星会

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的栅电极，并且具有竖直孔；有源柱，其设置在竖直孔中，并且提供竖直沟道；电荷存储部分，其介于有源柱与栅电极之间；阻挡电介质，其介于电荷存储部分与栅电极之间；隧道电介质，其介于电荷存储部分与有源柱之间；绝缘体，其填充有源柱的内孔；以及固定电荷层，其介于填充绝缘体与有源柱之间。采取手段解决了其中电流原本会在竖直沟道与填充绝缘体之间的界面附近被不利地影响的现象。