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公开(公告)号：CN112768450A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010636931.6
申请日：2020-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：多个位线结构，在基底上包括沿第一横向方向平行地延伸的位线；以及多个掩埋接触件和多个接合垫。所述多个掩埋接触件在基底上填充所述多个位线结构之间的空间的下部，所述多个接合垫填充所述多个位线结构之间的空间的上部并在所述多个位线结构上延伸。所述多个接合垫具有六边形阵列结构，所述多个接合垫之中的彼此相邻的第一接合垫、第二接合垫和第三接合垫的各自的顶表面的中心点通过不等边三角形连接。
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公开(公告)号：CN112530947A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010579908.8
申请日：2020-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有存储器单元区、外围区以及在存储器单元区与外围区之间的坝区，存储器单元区根据俯视图具有矩形形状，并且存储器单元区具有限定在其中的多个有源区；多个位线结构，在存储器单元区中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，并且均包括位线；多个掩埋接触件，填充基底上的所述多个位线结构之间的空间的下部；多个接合垫，位于所述多个掩埋接触件上；以及坝结构，包括在坝区中的第一坝结构和第二坝结构，并且与所述多个接合垫位于同一水平处。
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公开(公告)号：CN106972017B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201710006922.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括间隔开的有源区以及使有源区彼此隔离的器件隔离区；和柱阵列图案，包括交叠有源区的多个柱图案，该多个柱图案在第一方向上和在交叉第一方向的第二方向上以相等的距离彼此间隔开，其中该多个柱图案包括在第一方向上和在第二方向上交替地设置的第一柱图案和第二柱图案，第一柱图案的水平横截面的形状不同于第二柱图案的水平横截面的形状。
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公开(公告)号：CN106972017A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710006922.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10891 , H01L27/10805
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括间隔开的有源区以及使有源区彼此隔离的器件隔离区；和柱阵列图案，包括交叠有源区的多个柱图案，该多个柱图案在第一方向上和在交叉第一方向的第二方向上以相等的距离彼此间隔开，其中该多个柱图案包括在第一方向上和在第二方向上交替地设置的第一柱图案和第二柱图案，第一柱图案的水平横截面的形状不同于第二柱图案的水平横截面的形状。
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公开(公告)号：CN112992901A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011025442.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了一种具有接触塞的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，具有存储器单元区，在存储器单元区处限定有多个有源区；字线，具有下字线层和上字线层的堆叠结构，并且在第一水平方向上延伸越过所述多个有源区，并且掩埋绝缘层位于字线上；位线结构，布置在所述多个有源区上，在与第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有位线；以及字线接触塞，通过穿透掩埋绝缘层和上字线层而电连接到下字线层，并且在字线接触塞的上部中具有塞延伸件，塞延伸件具有比字线接触塞的下部的水平宽度大的水平宽度。
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