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公开(公告)号：CN103794686B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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公开(公告)号：CN102169934B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110056959.3
申请日：2011-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括：基底；多个发光单元，布置在所述基底上，每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层；互连结构，将发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个电连接到其它发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个；光转换部分，形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中，所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102800781B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210162730.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
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公开(公告)号：CN103794686A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118448547A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410126584.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，其布置在第一导电类型半导体层上；有源层；电极层，其形成在第二导电类型半导体层的顶表面上；反射层，其形成在电极层的顶表面的一部分上；接合焊盘，其形成在反射层的顶表面上；绝缘层，其形成在电极层的顶表面的另一部分上；以及绝缘间隔件，其沿着衬底的表面共形地形成。反射层包括不被水溶液蚀刻的材料，水溶液包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、KOH、NaOH和NH4OH中的一种，并且接合焊盘具有外壳形状，该外壳形状包括其宽度随着其远离反射层而逐渐减小的部分。
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公开(公告)号：CN109585634A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810834091.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/38 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L23/544 , H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L33/62
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN103797591A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201180073488.5
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了用于制造氮化物半导体发光器件的方法和通过该方法制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层以形成在第一与第二导电类型氮化物半导体层之间包括有源层的发光结构；顺序地形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在被光致抗蚀剂膜暴露的第二导电类型氮化物半导体层上顺序地形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后去除光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN109585634B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810834091.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/62
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN102800781A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210162730.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
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