公开(公告)号：CN103794686B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310513215.9

申请日：2013-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋 ,  金成埈 ,  金容一 ,  柳荣浩 ,  孙明洛 ,  李守烈 ,  李承桓 ,  张泰盛 ,  皇甫秀珉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。

公开(公告)号：CN103794686A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310513215.9

申请日：2013-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋 ,  金成埈 ,  金容一 ,  柳荣浩 ,  孙明洛 ,  李守烈 ,  李承桓 ,  张泰盛 ,  皇甫秀珉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。