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公开(公告)号：CN109300498B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810812877.9
申请日：2018-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种非易失性存储装置、其操作方法以及包括其的存储设备。所述非易失性存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元。所述方法包括：所述非易失性存储装置基于所接收到的命令来确定操作模式，所述非易失性存储装置基于所确定的操作模式产生比较电压，所述非易失性存储装置将所述比较电压与参考电压相比较以产生比较结果，以及所述非易失性存储装置根据所述比较结果对所述存储单元中的至少一个执行恢复操作。
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公开(公告)号：CN113496724A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110362975.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备和操作方法。非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个平面，每个平面包括多个存储器块；地址解码器，连接到存储器单元阵列；电压生成器，被配置为向地址解码器施加操作电压；页缓冲器电路，包括与每个平面相对应的页缓冲器；数据输入/输出电路，连接到被配置为输入和输出数据的页缓冲器电路；以及控制单元，被配置为控制地址解码器、电压生成器、页缓冲器电路和数据输入/输出电路的操作，其中，控制单元被配置为通过检查访问地址的存储器块是否是坏块来在多操作或单一操作中操作。
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公开(公告)号：CN113257320A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110078483.7
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括处理电路，处理电路被配置为向第一字线施加子电压，基于连接到第一字线的多个第一存储器单元的阈值电压分布确定期望的第一读取电压，向第二字线施加子电压，基于连接到第二字线的多个第二存储器单元的阈值电压分布确定期望的第二读取电压，在同时读取连接到第一字线的第一存储器单元时向第一字线施加期望的第一读取电压，并且在同时读取连接到第二字线的第二存储器单元时向第二字线施加期望的第二读取电压，期望的第二读取电压与期望的第一读取电压不同。
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公开(公告)号：CN109300498A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810812877.9
申请日：2018-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种非易失性存储装置、其操作方法以及包括其的存储设备。所述非易失性存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元。所述方法包括：所述非易失性存储装置基于所接收到的命令来确定操作模式，所述非易失性存储装置基于所确定的操作模式产生比较电压，所述非易失性存储装置将所述比较电压与参考电压相比较以产生比较结果，以及所述非易失性存储装置根据所述比较结果对所述存储单元中的至少一个执行恢复操作。
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