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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113342255B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202011229786.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置的坏块检测方法以及测试系统。所述测试系统包括：非易失性存储器装置，包括在多平面模式下进行操作的多个存储器块；以及测试机，检测非易失性存储器装置的坏块。非易失性存储器装置生成基于用于坏块的检测的擦除循环是否进行的就绪/忙碌信号。当从在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块检测到至少一个正常块时，非易失性存储器装置生成具有第一忙碌间隔的就绪/忙碌信号。当在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块全部被检测为坏块时，非易失性存储器装置生成具有比第一忙碌间隔短的第二忙碌间隔的就绪/忙碌信号。
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公开(公告)号：CN115731967A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211033169.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于操作存储器设备的方法。该方法包括：使用第一线路将高电压信号提供给包括多个存储器单元的存储器单元阵列；使用第二线路将逻辑信号提供给存储器单元阵列；以及，使用布置在第一线路和第二线路之间的第三线路将屏蔽信号提供给存储器单元阵列。逻辑信号的最高电压电平低于高电压信号的最高电压电平，而且屏蔽信号在第一模式下包括负的第一电压电平，并且在第二模式下包括正的第二电压电平。
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公开(公告)号：CN113342255A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011229786.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置的坏块检测方法以及测试系统。所述测试系统包括：非易失性存储器装置，包括在多平面模式下进行操作的多个存储器块；以及测试机，检测非易失性存储器装置的坏块。非易失性存储器装置生成基于用于坏块的检测的擦除循环是否进行的就绪/忙碌信号。当从在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块检测到至少一个正常块时，非易失性存储器装置生成具有第一忙碌间隔的就绪/忙碌信号。当在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块全部被检测为坏块时，非易失性存储器装置生成具有比第一忙碌间隔短的第二忙碌间隔的就绪/忙碌信号。
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公开(公告)号：CN113241109A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110072029.0
申请日：2021-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：存储器块，具有连接到虚设单元的未用线以及连接到常规单元的在用线；以及控制器，在擦除操作期间将擦除电压施加到存储器块、将未用线擦除电压施加到未用线并将字线擦除电压施加到在用线。在对常规单元进行编程的编程操作期间不对虚设单元进行编程，未用线擦除电压在第一时间点从第一电压转变为浮置电压，并且控制器读取虚设单元，并基于读取虚设单元的结果来控制第一电压的大小和第一时间点中的至少一个。
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公开(公告)号：CN113257320A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110078483.7
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括处理电路，处理电路被配置为向第一字线施加子电压，基于连接到第一字线的多个第一存储器单元的阈值电压分布确定期望的第一读取电压，向第二字线施加子电压，基于连接到第二字线的多个第二存储器单元的阈值电压分布确定期望的第二读取电压，在同时读取连接到第一字线的第一存储器单元时向第一字线施加期望的第一读取电压，并且在同时读取连接到第二字线的第二存储器单元时向第二字线施加期望的第二读取电压，期望的第二读取电压与期望的第一读取电压不同。
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