公开(公告)号：CN109300498B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201810812877.9

申请日：2018-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李大烈 ,  任载禹 ,  尹在鹤 ,  李康国

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 本公开提供了一种非易失性存储装置、其操作方法以及包括其的存储设备。所述非易失性存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元。所述方法包括：所述非易失性存储装置基于所接收到的命令来确定操作模式，所述非易失性存储装置基于所确定的操作模式产生比较电压，所述非易失性存储装置将所述比较电压与参考电压相比较以产生比较结果，以及所述非易失性存储装置根据所述比较结果对所述存储单元中的至少一个执行恢复操作。

公开(公告)号：CN109300498A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810812877.9

申请日：2018-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李大烈 ,  任载禹 ,  尹在鹤 ,  李康国

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 本公开提供了一种非易失性存储装置、其操作方法以及包括其的存储设备。所述非易失性存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元。所述方法包括：所述非易失性存储装置基于所接收到的命令来确定操作模式，所述非易失性存储装置基于所确定的操作模式产生比较电压，所述非易失性存储装置将所述比较电压与参考电压相比较以产生比较结果，以及所述非易失性存储装置根据所述比较结果对所述存储单元中的至少一个执行恢复操作。