公开(公告)号：CN111081678B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201910993359.6

申请日：2019-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润圣 ,  金尹熙 ,  裵秉文 ,  沈贤洙 ,  尹俊浩 ,  崔仲浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/58

Abstract: 一种半导体芯片，包括：衬底，衬底包括主芯片区域以及围绕主芯片区域的划道；下层间绝缘层，设置在划道中的衬底上；电路结构，设置在划道中的下层间绝缘层上；焊盘结构，设置在下层间绝缘层上。该电路结构和焊盘结构设置成在划道的纵向方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN111211118A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910943436.7

申请日：2019-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈贤洙 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  裴秉文 ,  尹俊浩

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/78

Abstract: 本申请提供一种半导体装置及半导体芯片。半导体装置包含半导体衬底，半导体衬底具有定义于其中的划线。多个半导体芯片形成于半导体衬底的上表面上。至少一个导电结构在其划线内布置在半导体衬底的上表面上。圆角布置在导电结构的至少一个侧表面上。圆角被配置成引发经由导电结构的中心部分沿划线扩散的切割线。

公开(公告)号：CN110890325A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910726168.3

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴秉文 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  沈贤洙 ,  尹俊浩 ,  崔仲浩

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/08 ,  B23K26/70 ,  B23K101/40

Abstract: 提供了制造半导体芯片的方法。所述方法可以包括提供包括集成电路区域和切割区域的半导体衬底。所述切割区域可以在所述集成电路区域之间。所述方法还可以包括通过沿着所述切割区域将激光束发射到所述半导体衬底中来形成改性层，抛光所述半导体衬底的无源表面以使裂缝从改性层传播，以及沿着所述裂缝分离集成电路区域。所述切割区域可以包括在所述半导体衬底的有源表面上的多个多层金属图案，半导体衬底的有源表面与半导体衬底的无源表面相对。当在横截面中观察时，所述多个多层金属图案可以形成金字塔结构。

公开(公告)号：CN1770089A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510072912.0

申请日：2005-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹俊浩

IPC: G06F3/12

CPC classification number: G06F17/217

Abstract: 提供了一种调整打印输出的网页的大小的网络打印方法和装置。所述用于打印网页的方法包括步骤：输入关于某个网页的打印命令；比较网页的大小与纸张的大小；如果网页的大小大于纸张的大小，则将包含在网页中的文本和图像分别减小预定的单位；和产生关于包含减小的文本和图像的网页的打印输出数据并在纸上打印数据。因此，所述方法和装置防止当打印时截除超出纸张的网页内容。

公开(公告)号：CN111092068B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201910499273.8

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润圣 ,  金尹熙 ,  裵秉文 ,  沈贤洙 ,  尹俊浩 ,  崔仲浩

IPC: H01L23/544

Abstract: 提供一种包括对准图案的半导体芯片。该半导体芯片包括衬底，该衬底与半导体晶片的主芯片区域相关联并包括划片道。下层间绝缘层设置在所述衬底上，包括虚设金属图案的低K层设置在所述下层间绝缘层上，对准图案设置在所述低K层上，并且钝化层覆盖所述对准图案。

公开(公告)号：CN111092068A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910499273.8

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润圣 ,  金尹熙 ,  裵秉文 ,  沈贤洙 ,  尹俊浩 ,  崔仲浩

IPC: H01L23/544

Abstract: 提供一种包括对准图案的半导体芯片。该半导体芯片包括衬底，该衬底与半导体晶片的主芯片区域相关联并包括划片道。下层间绝缘层设置在所述衬底上，包括虚设金属图案的低K层设置在所述下层间绝缘层上，对准图案设置在所述低K层上，并且钝化层覆盖所述对准图案。

公开(公告)号：CN100334537C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200510072912.0

申请日：2005-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹俊浩

IPC: G06F3/12

CPC classification number: G06F17/217

Abstract: 提供了一种调整打印输出的网页的大小的网络打印方法和装置。所述用于打印网页的方法包括步骤：输入关于某个网页的打印命令；比较网页的大小与纸张的大小；如果网页的大小大于纸张的大小，则将包含在网页中的文本和图像分别减小预定的单位；和产生关于包含减小的文本和图像的网页的打印输出数据并在纸上打印数据。因此，所述方法和装置防止当打印时截除超出纸张的网页内容。

公开(公告)号：CN118825056A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467940.5

申请日：2024-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹俊浩 ,  权俊润 ,  朴海珉 ,  李光镕 ,  金帝成 ,  赵多莹

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B23K101/40

Abstract: 半导体芯片包括有源层，其在下面的基底衬底的顶表面上。有源层具有：(i)接合表面，在有源层中，接合表面界定底部有源层与在底部有源层上延伸的顶部有源层之间的界面，以及(ii)倒角边缘，其完全延伸穿过顶部有源层以完全暴露其侧壁，但仅部分地穿过底部有源层，使得倒角边缘的竖直高度大于顶部有源层的厚度但小于顶部有源层和底部有源层的组合厚度。还提供保护层，其覆盖有源层的顶表面的至少一部分。倒角边缘的底部的竖直高度可以高于基底衬底的顶表面的竖直高度。

公开(公告)号：CN110858567A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910736321.0

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹俊浩 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  裴秉文 ,  沈贤洙 ,  崔仲浩

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括：衬底，其包括半导体芯片区域和围绕所述半导体芯片区域的划线区域；绝缘膜，其设置在所述衬底上的所述半导体芯片区域和所述划线区域上方，并且包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，以及与所述第三表面相对并连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及开口部分，其形成在所述绝缘膜的所述第二表面和所述绝缘膜的所述第四表面上以暴露所述衬底，其中，所述开口部分形成在所述划线区域中，并且其中所述绝缘膜的所述第一表面和所述绝缘膜的所述第三表面不包括暴露所述衬底的开口部分。

公开(公告)号：CN116613124A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310020818.9

申请日：2023-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊润 ,  高荣范 ,  金宇柱 ,  南熙载 ,  柳正锡 ,  尹俊浩

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

Abstract: 公开了晶片结构和半导体器件。一种半导体器件可以包括衬底和衬底上的单元阵列结构。衬底可以包括器件区域和在平面图中围绕器件区域的虚设区域。单元阵列结构可以包括多个第一介电层、多个栅极结构、竖直沟道结构和虚设图案。竖直沟道结构可以在器件区域上，并且可以穿透多个栅极结构和多个第一介电层。单元阵列结构包括位于衬底的边缘之上的外侧壁和位于单元阵列结构的外侧壁上的凹进部分。虚设图案可以覆盖该凹进部分的侧壁和该凹进部分的底表面。虚设图案和竖直沟道结构可以包括相同的材料。