Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"南熙载" Page 1

1.

发明公开
晶片结构与半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN116613124A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310020818.9

申请日：2023-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊润 , 高荣范 , 金宇柱 , 南熙载 , 柳正锡 , 尹俊浩

IPC: H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/485

Abstract: 公开了晶片结构和半导体器件。一种半导体器件可以包括衬底和衬底上的单元阵列结构。衬底可以包括器件区域和在平面图中围绕器件区域的虚设区域。单元阵列结构可以包括多个第一介电层、多个栅极结构、竖直沟道结构和虚设图案。竖直沟道结构可以在器件区域上，并且可以穿透多个栅极结构和多个第一介电层。单元阵列结构包括位于衬底的边缘之上的外侧壁和位于单元阵列结构的外侧壁上的凹进部分。虚设图案可以覆盖该凹进部分的侧壁和该凹进部分的底表面。虚设图案和竖直沟道结构可以包括相同的材料。

Patent Agency Ranking