公开(公告)号：CN110858567A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910736321.0

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹俊浩 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  裴秉文 ,  沈贤洙 ,  崔仲浩

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括：衬底，其包括半导体芯片区域和围绕所述半导体芯片区域的划线区域；绝缘膜，其设置在所述衬底上的所述半导体芯片区域和所述划线区域上方，并且包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，以及与所述第三表面相对并连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及开口部分，其形成在所述绝缘膜的所述第二表面和所述绝缘膜的所述第四表面上以暴露所述衬底，其中，所述开口部分形成在所述划线区域中，并且其中所述绝缘膜的所述第一表面和所述绝缘膜的所述第三表面不包括暴露所述衬底的开口部分。

公开(公告)号：CN110718514A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910613820.0

申请日：2019-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尹熙 ,  金润圣 ,  裴秉文 ,  沈贤洙

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种能够承受诸如在制造过程中产生的裂缝等损坏的半导体芯片。根据本发明构思的半导体芯片包括：半导体衬底，其包括围绕裸片区域和所述裸片区域的裸片的周边的残余划片槽；钝化层，其覆盖所述半导体衬底上方的部分；覆盖保护层，其覆盖所述钝化层的一部分和所述裸片区域，覆盖保护层与覆盖所述残余划片槽的一部分的缓冲保护层一体形成，其中所述缓冲保护层包括与和所述半导体衬底的角部邻近的边缘的一部分接触的角部保护层，以及从所述角部保护层沿着所述残余划片槽延伸并与所述覆盖保护层接触的延伸保护层。

公开(公告)号：CN111211118A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910943436.7

申请日：2019-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈贤洙 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  裴秉文 ,  尹俊浩

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/78

Abstract: 本申请提供一种半导体装置及半导体芯片。半导体装置包含半导体衬底，半导体衬底具有定义于其中的划线。多个半导体芯片形成于半导体衬底的上表面上。至少一个导电结构在其划线内布置在半导体衬底的上表面上。圆角布置在导电结构的至少一个侧表面上。圆角被配置成引发经由导电结构的中心部分沿划线扩散的切割线。

公开(公告)号：CN110890325A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910726168.3

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴秉文 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  沈贤洙 ,  尹俊浩 ,  崔仲浩

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/08 ,  B23K26/70 ,  B23K101/40

Abstract: 提供了制造半导体芯片的方法。所述方法可以包括提供包括集成电路区域和切割区域的半导体衬底。所述切割区域可以在所述集成电路区域之间。所述方法还可以包括通过沿着所述切割区域将激光束发射到所述半导体衬底中来形成改性层，抛光所述半导体衬底的无源表面以使裂缝从改性层传播，以及沿着所述裂缝分离集成电路区域。所述切割区域可以包括在所述半导体衬底的有源表面上的多个多层金属图案，半导体衬底的有源表面与半导体衬底的无源表面相对。当在横截面中观察时，所述多个多层金属图案可以形成金字塔结构。