-
公开(公告)号：CN101051644A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710096764.5
申请日：2007-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明公开了一种TFT基板及其制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成栅极线和数据线。数据线与栅极线相交且与栅极线绝缘。栅极线、数据线、或栅极线和数据线二者的形成包括利用无电镀方法在基体图案上形成低电阻导电图案。
-
-
公开(公告)号：CN102898943B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210265400.6
申请日：2012-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D183/06 , C09D183/12 , C09D5/00
CPC classification number: C09D183/04 , C09D5/1675 , G06F3/03547 , G06F3/0412 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明公开了一种涂覆组合物、抗指印薄膜及电子产品。涂覆组合物包括硅烷低聚物，硅烷低聚物具有：R1基团，由作为式1的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示，其中，Ra选自于由氢和具有1至3个碳原子的烷基组成的组，Rb选自于由具有5至20个碳原子的烷基、具有5至20个碳原子的烯基、具有5至20个碳原子的炔基、具有5至20个碳原子的芳基、具有6至20个碳原子的芳烷基、具有5至20个碳原子的环烷基和具有5至20个碳原子的杂烷基组成的组，p是1至12的整数；R2基团，由作为式2的(Rc)q表示，其中，Rc是具有3至20个碳原子的环烷基，q是1至3的整数。
-
公开(公告)号：CN102898943A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210265400.6
申请日：2012-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D183/06 , C09D183/12 , C09D5/00
CPC classification number: C09D183/04 , C09D5/1675 , G06F3/03547 , G06F3/0412 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明公开了一种涂覆组合物、抗指印薄膜及电子产品。涂覆组合物包括硅烷低聚物，硅烷低聚物具有：R1基团，由作为式1的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示，其中，Ra选自于由氢和具有1至3个碳原子的烷基组成的组，Rb选自于由具有5至20个碳原子的烷基、具有5至20个碳原子的烯基、具有5至20个碳原子的炔基、具有5至20个碳原子的芳基、具有6至20个碳原子的芳烷基、具有5至20个碳原子的环烷基和具有5至20个碳原子的杂烷基组成的组，p是1至12的整数；R2基团，由作为式2的(Rc)q表示，其中，Rc是具有3至20个碳原子的环烷基，q是1至3的整数。
-
公开(公告)号：CN100461000C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410081932.X
申请日：2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/204 , C23C18/208 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案；以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法，可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案，并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1597738A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410074886.0
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体间层绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
-
-
公开(公告)号：CN103129062B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201210409912.5
申请日：2012-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B32B27/06 , C09D183/04
CPC classification number: C23C14/081 , B05D1/60 , B05D2350/60 , C09D183/04 , C23C14/10 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种涂覆结构及其形成方法和具有该涂覆结构的装置，其中，通过在待涂覆的产品和涂层之间形成氧化铝层和二氧化硅层来形成所述涂覆结构，所述涂覆结构可以提高涂层的耐久性、可靠性和防侵蚀性，此外，还可以提高产品良率。形成在产品表面上的涂覆结构包括形成在产品表面上的氧化铝(Al2O3)层、形成在氧化铝(Al2O3)层的表面上的二氧化硅(SiO2)层和形成在二氧化硅(SiO2)层上的涂覆组合物层。
-
公开(公告)号：CN103129062A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210409912.5
申请日：2012-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B32B27/06 , C09D183/04
CPC classification number: C23C14/081 , B05D1/60 , B05D2350/60 , C09D183/04 , C23C14/10 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种涂覆结构及其形成方法和具有该涂覆结构的装置，其中，通过在待涂覆的产品和涂层之间形成氧化铝层和二氧化硅层来形成所述涂覆结构，所述涂覆结构可以提高涂层的耐久性、可靠性和防侵蚀性，此外，还可以提高产品良率。形成在产品表面上的涂覆结构包括形成在产品表面上的氧化铝(Al2O3)层、形成在氧化铝(Al2O3)层的表面上的二氧化硅(SiO2)层和形成在二氧化硅(SiO2)层上的涂覆组合物层。
-
公开(公告)号：CN1641483A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410081932.X
申请日：2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/204 , C23C18/208 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤：(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层；(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层；(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案；以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法，可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案，并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.036 seconds)
