公开(公告)号：CN100568499C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200610151329.3

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴晙焕 ,  孟东祚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76886 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有双重或多重盖层的互联的制造方法，包括：在衬底上形成层间电介质层；在所述层间电介质层中形成沟槽；以金属层填充所述沟槽；在所述金属层和层间电介质层上形成第一阻挡层；热处理包括所述第一阻挡层的所得到的衬底以在所述金属层的顶部形成金属化合物层；和在热处理的包括所述第一阻挡层的衬底上形成第二阻挡层。

公开(公告)号：CN1945826A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610151329.3

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴晙焕 ,  孟东祚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76886 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有双重或多重盖层的互联及其制造方法。互连包括其间形成有沟槽的层间电介质层，沟槽内形成的金属层，金属层上的金属化合物层，层间电介质层上的第一阻挡层，和金属化合物层与第一阻挡层上的第二阻挡层。

公开(公告)号：CN1167337A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：CN97104711.1

申请日：1997-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜正镐 ,  李光烈 ,  孟东祚 ,  黄宗燮

IPC: H01L21/3063

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/67075

Abstract: 一种溢流式化学腐蚀槽，包括在其侧壁形成多个孔的内腐蚀槽。各孔与内腐蚀槽上端相距预定距离。在此化学腐蚀槽中，当内腐蚀槽中的化学物质流过内腐蚀槽的上端时，同时通过各孔排放至外腐蚀槽。因此，除非相对的两侧壁中的一侧倾斜低于另一侧超过预定值。否则在内腐蚀槽的两侧壁化学物质能以几乎相同的量连续流动，从而使因晶片位置不同而引起的腐蚀速率差异得以减小，使腐蚀工艺可靠性得以改善。