公开(公告)号：CN119890073A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411432424.5

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵泰逸 ,  金京善 ,  金柱镐 ,  孙昌吉

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种气体供应组件和一种半导体晶圆处理设备。该气体供应组件包括：热控制板，其包括加热器和冷却器；气体分布板，其在热控制板下方并且包括处理气体通过其递送的处理气体分布通路和热调节气体通过其递送的热调节气体分布通路；热传递垫，其在气体分布板下方，并且包括电介质材料垫，电介质材料垫中包括电极；以及喷头，其包括与处理气体分布通路连通并且排放处理气体的喷嘴。热传递垫还包括与气体分布板的处理气体分布通路连通的处理气体移动通道和与气体分布板的热调节气体分布通路连通的热调节气体移动通道。

公开(公告)号：CN116656364A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310140919.X

申请日：2023-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 孙昌吉 ,  南森·斯塔福德 ,  李珍焕 ,  张虎永

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/311

Abstract: 一种蚀刻气体混合物包括含氮化合物和惰性气体。为了制造集成电路(IC)器件，通过使用从该蚀刻气体混合物产生的等离子体来蚀刻衬底上的含硅膜，并且因此在含硅膜中形成孔。含氮化合物选自由式1表示的化合物和由式2表示的化合物：[式1](R1)C≡N其中，在式1中，R1是C2至C3直链或支链全氟烷基，[式2](R2)(R3)C＝NH其中，在式2中，R2和R3中的每一个独立地为C1至C2直链全氟烷基。